107年公務人員高等考試電機技師考試-電子學(包括電力電子學)
首頁
>
線上測驗
>
公職考試>技師>電機技師
> 107年公務人員高等考試電機技師考試-電子學(包括電力電子學)
年度
年度
107
106
105
104
103
102
1.
設一矽二極體 pn 接面之摻雜濃度 N
A
= 5×10
16
/ cm
3
與摻雜濃度 N
D
= 2×10
16
/ cm
3
且本質濃度 n
i
= 2×10
10
/ cm
3
,試求於 T = 300 K 時之內建電壓 V
0
、空乏區寬度 W
dep
與 參考解析空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。( 25 分)
題型：申論題
難易度：尚未記錄
2.
設一增強型 n-通道金氧半場效電晶體 (NMOS transistor) ,已知其 μ
n
C
ox
= 20 μA / V
2
、 W = 400 μm 、 L = 10 μm 、 V
t
= 1.2 V 以及 λ = 0.01 V
−1
,分別試求其操作於偏壓電壓 V
GS
= 2 V 下之 gm 與 r
o
值,以及於偏壓電流 I
D
= 2 mA 下之 gm 與 r
o
值。( 25 分)
題型：計算題
難易度：尚未記錄
3.
設一切換頻率為 25 kHz 之降升壓型轉換器 (buck-boost converter) ,其輸入電壓 V
d
= 15 V 、電感器之感值 L = 40 μH ,且令輸出電容器之容值甚大,試求得使輸出電 壓調節於 V
o
= 10 V 且供應負載功率 P
o
= 12 W 之對應開關導通率 (duty ratio) 與導通模 式。( 25 分)
題型：計算題
難易度：尚未記錄
4.
題型：計算題
難易度：尚未記錄
購買題庫後，可使用那些功能？
可觀看題目詳解，並提供模擬測驗！（免費會員無法觀看研究所試題解答）
