1.

試分析以下之電路,若運算放大器之偏移電壓(offset voltage)為10 mV,
輸入阻抗為無窮大,輸出阻抗為0,增益為10倍,vi =1V,R1 =1 kΩ,
R2 = 9 kΩ。
(1) 試求vo為何?
(2) 試求小信號增益(vo / vi )為何?

2.

試分析以下之電路。若二極體之電流(ID) 與順偏電壓(VD)可近似為
ID=IsexpVD/VT,25oC 之熱電壓(VT) VT 為25 mV。D1之飽和電流(Is1)為D2
飽和電流(Is2)的1/10。
(1) 試求Vo =?
(2) 若PN接面溫度上升至50oC,則Vo =?

3.

試分析以下之電路。若RL =1 kΩ,C =1μF,電晶體M1Q1之轉導值(gm )
皆為1 mA/V,且其輸出阻抗(ro)皆為無窮大,Q1之電流增益值β=100,
電流源Ib1Ib2之輸出阻抗亦為無窮大。
(1) 試求高頻小信號增益(vo / vi )為何?
(2) 試求vo / vi之低頻3dB頻率點為何?

4.

分析如下之電路。若R1 = 9 kΩ,R2 =100 kΩ,Rs =10 kΩ,C1 =10 pF,
C2 =1 pF,Ib1為直流電流源,ii 為交流電流輸入信號,電晶體M1M2
轉導值(gm )皆為1 mA/V,忽略其輸出阻抗ro。
(1) 試求低頻小信號增益(vo / vi )為何?
(2) 試求(vo / vi )之低頻3 dB頻寬。

5.

分析如下之數位電路。若數位電路之邏輯1 為5 V,邏輯0 為0 V,反向
D1之傳遞延遲為1奈秒(n sec),D2之傳遞延遲為2奈秒(n sec)。
(1) 試求Vo之頻率。
(2) Vo之工作週期(duty cycle)為何?
(3) 試求NAND gate 之動態功率消耗。

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