首頁 > 線上測驗 > 公職考試>普考(四等)>電子工程 > 96年公務人員普通考試四級 電子學概要
試說明NPN 電晶體之工作原理及功能。
試繪圖說明圖1(a)及(b)基本限制電路的vo − vI（輸出-輸入）轉換特性曲線。
圖2 所示為一增強型NMOS 電晶體的截面圖。 (1) 試說明其工作原理。 (2) 試繪圖說明iD − vDS（汲極電流-汲極電壓）的特性曲線。 (3) 試標示特性曲線中不同區域。
圖3所示為一基本的BJT電流鏡，若BJT的電流放大倍數為β ，試求Io 與IREF間的關係。
圖4 所示為一NMOS 放大器，其臨限電壓(threshold voltage) Vt 為1V， 試求在此操作點之下，汲極與源極間的等效電阻rDS 為多少？且求RD值。 已知此NMOS之k'n(W/L) = 1mA/V2。
試說明A 類、B 類及AB 類放大器特點。
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