97年公務人員普通考試四級 電子學概要

(1) 試繪圖說明增強型n-MOSFET 之半導體結構圖
(2) 一個n通道MOSFET工作於飽和區域，MOSFET常數KN = 20mA/V2，臨界電壓(threshold voltage)為V_t =1.5V ，若閘極-源極間之電壓為V_GS = 3V，試求MOSFET於飽和狀態時之汲極電流I_D值以及小信號轉導(transconductance) gm值。

圖1(a)所示為一截波電路(clipping circuit)，外加信號電壓vs如圖1(b)所示。電池電壓E₁為E₁ =10V，二極體之峰值電流限制為30mA，試求(1)輸出電壓vo對時間關係圖，(2)電阻R及(3)平均二極體電流值I_D (av)。

(1) 試說明一回授電路(feedback circuit)產生振盪之條件
(2) 試繪SR 正反器(flip-flop)之符號圖及其真值表
(3) 試解釋Static RAM (SRAM)
(4) 試解釋雙穩態振動器(bistable multivibrator)

圖2 所示電路，若臨界電壓為V_t =1V，MOSFET 常數K 值為1mA/V²，忽略通道長度調變效應(channel length modulation effect)（即假設λ = 0），

(1)試求每一節點之電壓及所有分支電流(branch current)。
(2)試繪出MOSFET 之小訊號等效電路圖。

圖3 所示為一運算放大器，試求：
(1)輸出電壓v_o與輸入電壓v_S 間之關係。
(2)運算放大器之閉回路增益。
(3)等效輸入電阻。
(4)等效輸出電阻。