首頁 > 線上測驗 > 公職考試>電信工程 > 94年公務人員高等考試三級第二試 電子學
如圖一所示之電路，設β = 50，RB = 640Ω，RC = 440Ω，VCC = +5V 。 (1) 若VI = 0.2V時；試求Vo、IB、IC 及消耗在電晶體中的功率。 (2) 若VI = 3.6V時；試求Vo、IB、IC 及消耗在電晶體中的功率。
如圖二所示電路，已知FET參數gm =1mS，rd = 20kΩ，求如圖二具迴授 (feedback)情況下之gmf (= IO /VS )及Avf(=VO /VS )各為多少？
圖三為移相振盪器(Phase-shift oscillator)，求其振盪頻率（以R 及C 表示）， 並請問若要振盪，R1應符合什麼條件？
試求圖四中MOSFET電路的低頻電壓增益為何？（已知gm1 = gm2 = gm）
假設圖五中之威爾遜電流鏡所有的BJT都匹配，β 為有限值，而且Q1與 Q2 的射極電流均為IE ，試以IE 求出IREF 及IO 的表示式，並計算 IO / IREF 。
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