首頁 > 線上測驗 > 公職考試>普考(四等)>電子工程 > 103年公務人員普通考試 電子學概要
試畫出一互補式金氧半場效電晶體（CMOS）之剖面圖（cross-section），請清楚標示所使用之各項半導體物質與節點名稱，並解釋源極（Source）與汲極（Drain）之間通道長度調變效應發生之原因。
如圖一所示電路，所有MOSFET 的轉導（transconductance）等於gm，輸出電阻皆為ro，試推導圖一中之輸出電阻Rout =？
、圖二所示電路中，BJT 電晶體之共射極順向短路電流增益βF = 150，Ibias = 0.6 mA， VBE 約為0.7V，熱電壓VT 為24 mV，耦合電容C 接近無限大。
(一) 試計算直流集極電流及集極電壓。 (二) 畫出此放大器之小訊號等效電路圖。 (三) 求出放大器電壓增益vo / vi =？
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