106 年台電雇員 電子學
首頁
>
線上測驗
>
台電僱員-電類-歷屆試題-XO
> 106 年台電雇員 電子學
年度
年度
110
110
110
110
110
110
110
109
109
109
109
109
109
109
108
108
108
108
108
108
108
107
107
107
107
107
107
107
106
106
106
106
106
106
106
105
105
105
105
105
105
105
104
104
104
104
104
104
104
103
103
103
103
103
103
103
102
102
102
102
102
102
102
101
101
101
101
101
101
101
99
99
97
97
96
96
95
95
94
94
92
92
90
90
×
Close
注意 !
請選擇題數。
模擬測驗
順序排列
隨機排列
- 選擇題數 -
5 題
10 題
15 題
20 題
25 題
30 題
35 題
40 題
45 題
50 題
全部 (50 題)
1.
有一脈波寬度為100 μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為何?
(A)
0.2 kHz
(B)
0.5 kHz
(C)
2 kHz
(D)
5 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
2.
如圖所示電路,若二極體之導通電壓為0.7 V,則輸出電壓值V
o
為何?
(A)
3.7 V
(B)
4.7 V
(C)
6.7 V
(D)
10 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
3.
有一電源電路之輸出電壓V (t) = 10 + 0.2sin(ωt)伏特,則其漣波因數百分比約為多少?
(A)
1.41%
(B)
2%
(C)
4.24%
(D)
5.21%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
4.
有一直流電源之電動勢為30 V,內阻為2 Ω,滿載時所提供之電流為2.5 A,則此電源之電壓調整率為何?
(A)
25%
(B)
20%
(C)
15%
(D)
10%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
5.
如圖所示電路,假設射極電壓V
E
= −0.7 V,β = 50,V
CC
= 10 V,則 V
C
約為多少?
(A)
1.37 V
(B)
3.82 V
(C)
5.44 V
(D)
7.73 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
6.
下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的?
(A)
決定電晶體的α 值
(B)
決定電晶體的工作溫度
(C)
決定電晶體的β 值
(D)
決定電晶體的工作點(operating point)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
7.
如圖所示電路,Q
1
與 Q
2
為匹配之電晶體( β
1
= β
2
= β) ,且皆操作於作用區(active region),請問
為下列哪個選項?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
8.
當一輸出額定值為40 W 的放大器被接到一個10 Ω的揚聲器上,若放大器之功率增益為20 dB,試求在全功率輸出時,輸入功率應為多少?
(A)
500 mW
(B)
400 mW
(C)
300 mW
(D)
200 mW
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
9.
有一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓V
T
= 2V,當V
GS
= 5 V 時,MOSFET工作於飽和區(夾止區),且I
D
= 3mA。若V
GS
= 8 V,則轉移電導 g
m
為何?
(A)
1 mS
(B)
2 mS
(C)
4 mS
(D)
6 mS
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
10.
如圖所示電路,已知g
m
= 5mS,r
d
= 20 kΩ,則 V
o
為何?
(A)
−10mV
(B)
10mV
(C)
−20mV
(D)
20mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
11.
如圖所示電路,若 Q
1
與 Q
2
完全相同,則V
o
的週期約為多少?
(A)
2.1 R
C
(B)
2 R
C
(C)
1.4 R
C
(D)
0.7 R
C
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
12.
如圖所示電路,為______濾波電路,其截止頻率為______,請問空格處應填入下列哪組選項?
(A)
低通、
(B)
低通、
(C)
高通、
(D)
高通、
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
13.
運算放大器若利用RC 相移電路產生振盪,則此RC 電路必須提供的相位移為何?
(A)
90度
(B)
180度
(C)
270度
(D)
360度
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
14.
有一只PN矽質二極體之溫度為25°C時,其順向電壓為0.7 V,則當溫度上升到多少°C時,其順向電壓為0.5 V?
(A)
105
(B)
125
(C)
145
(D)
165
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
15.
如圖所示電路,其I −V 特性曲線為下列何者?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
16.
若有一共射極組態電晶體之α 值由0.98 變至0.99,則β 值變化為何?
(A)
由99 變為49
(B)
由88 變為49
(C)
由49 變為88
(D)
由49 變為99
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
17.
有關電晶體的結構與特性,下列敘述何者有誤?
(A)
NPN 電晶體少數載子為電洞
(B)
含雜值比例是射極多於集極
(C)
含雜值比例是基極多於集極
(D)
PNP 電晶體的射極內,電子為多數載子
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
18.
如圖所示之LED 驅動電路,使LED 發亮的電壓為2 V,電流為15 mA,假設飽和電晶體之V
CE(sat)
電壓降可忽略不計, V
BE(sat)
= 0.8V,試求R
B
、 R
C
的適當電阻值為何?
(A)
15 kΩ、100 Ω
(B)
15 kΩ、200 Ω
(C)
25 kΩ、100 Ω
(D)
25 kΩ、200 Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
19.
如圖所示之放大電路,已知電晶體的β 值為109,此電路的 r
π
為1.1kΩ,則此放大電路的輸出阻抗Z
o
約為多少?
(A)
1 kΩ
(B)
100 Ω
(C)
9.9 Ω
(D)
0.99 Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
20.
有一電路之電流增益 A
i
= 49,輸入阻抗為2 kΩ,輸出阻抗為18 kΩ,則此電路之電壓增益為何?
(A)
69
(B)
245
(C)
441
(D)
521
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
21.
有一個 N 通道 JFET,若I
DSS
= 12 mA, VGS
(OFF)
= V
P
= −4 V,則V
GS
= −2 V 時的I
D
電流值為何?
(A)
6 mA
(B)
3 mA
(C)
2 mA
(D)
0 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
22.
有一個 P通道增強型 MOSFET,其臨界電壓V
T
= −2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何?
(A)
7 V
(B)
5 V
(C)
3 V
(D)
2 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
23.
下列由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中,哪一種電路中之OPA 的輸入端不可看成虛短路?
(A)
比較器
(B)
非反相放大器
(C)
反相放大器
(D)
微分器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
24.
有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為 V
i1
= 55μV, V
i2
= 45μV,共模拒斥比CMRR(dB) = 40 dB,差模增益 A
d
= 500,則下列何者正確?
(A)
共模增益 A
C
= 10
(B)
差模輸入電壓V
d
= 5 μV
(C)
共模輸入電壓V
C
= 100 μV
(D)
輸出電壓V
o
= 5.25 mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
25.
有關理想運算放大器的特性,下列敘述何者有誤?
(A)
輸出阻抗無限大
(B)
有虛擬接地現象
(C)
輸入阻抗無限大
(D)
開迴路電壓增益無限大
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
26.
類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者?
(A)
平均值
(B)
最大值
(C)
有效值
(D)
波形與頻率
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
27.
下列何者不是二極體常見的功用?
(A)
整流
(B)
截波
(C)
濾波
(D)
保護
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
28.
稽納二極體(Zener Diode)常應用於下列何種電路?
(A)
穩壓電路
(B)
微分電路
(C)
濾波電路
(D)
放大電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
29.
如圖所示,V
i
= 20 V,稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓V
z
= 10 V, R
1
= 1kΩ, R
2
= 2kΩ,則輸出電壓值 V
o
為何?
(A)
5 V
(B)
10 V
(C)
13 V
(D)
20 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
30.
如圖所示,V
i
= 20V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
z
= 8 V,R
1
= 1kΩ,R
2
= 2kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率為多少?
(A)
64 mW
(B)
24 mW
(C)
16 mW
(D)
趨近0 W
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
31.
如圖所示,V
i
= 10 V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
z
= 8 V,R
1
= 1kΩ,R
2
= 2kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率為多少?
(A)
64 mW
(B)
24 mW
(C)
16 mW
(D)
趨近0 W
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
32.
有一電晶體,適當偏壓於作用區,測得I
B
= 0.05mA,I
E
= 5 mA,則此電晶體的α 值為多少?
(A)
0.01
(B)
0.99
(C)
9.9
(D)
100
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
33.
下列何種電路不具備電流放大的功能?
(A)
共基極放大電路
(B)
共射極放大電路
(C)
共集極放大電路
(D)
達靈頓電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
34.
下列何種BJT 電晶體放大電路組態之功率增益最高?
(A)
共閘極組態
(B)
共集極組態
(C)
共基極組態
(D)
共射極組態
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
35.
一般BJT 電晶體作為小信號線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(operating point)落在下列哪種區域內,可獲得較佳之放大倍率?
(A)
作用區(active region)內
(B)
反向作用區(reversed, active region)內
(C)
截止區(cut-off region)內
(D)
飽和區(saturation region)內
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
36.
如圖所示電路,電晶體的β = 100,集極電流為2 mA,V
CE
= 4V, R
C
兩端之電壓為4 V,V
BE
= 0.7 V,則 R
E
之電阻值約為多少?
(A)
0.2 kΩ
(B)
2 kΩ
(C)
20 kΩ
(D)
200 kΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
37.
如圖所示電路,電晶體的β = 120, V
CE(sat)
= 0.2V, V
BE(act)
= V
BE(sat)
= 0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
= 5.6 V,當V
i
= 2 V, V
o
約為多少?
(A)
2.8 V
(B)
5.6 V
(C)
6.3 V
(D)
7.3 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
38.
如圖所示電路,電晶體的β = 120, V
CE(sat)
= 0.2V, V
BE(act)
= V
BE(sat)
= 0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
= 5.6 V,當V
i
= 3 V, V
o
約為多少?
(A)
2.8 V
(B)
4.3 V
(C)
5.6 V
(D)
7.3 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
39.
如圖所示電路,電晶體的β = 120, V
CE(sat)
= 0.2V,V
BE(act)
= V
BE(sat)
= 0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
= 5.6 V,當V
i
= 3 V時,電流I 約為多少?
(A)
5.3 mA
(B)
5.17 mA
(C)
4.9 mA
(D)
0 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
40.
對於達靈頓(Darlington)電路特徵的敘述,下列何者有誤?
(A)
電壓增益高
(B)
輸入阻抗高
(C)
電流增益高
(D)
輸出阻抗低
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
41.
已知一放大電路電壓增益A
V
為100,電流增益 Ai為10,則其功率增益 A
P
(dB)為多少?
(A)
10 dB
(B)
30 dB
(C)
60 dB
(D)
1000 dB
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
42.
下圖所示CMOS 反相器電路,若不計電路延遲,且輸入信號如標示(a)之弦波,則輸出之信號V
o
應為下列何者?
(A)
同頻率之脈波
(B)
16 倍頻率之脈波
(C)
同頻率之弦波
(D)
16 倍頻率之弦波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
43.
下圖所示CMOS 反相器電路,若不計電路延遲,且輸入信號如標示(b)之方波,則輸出之信號V
o
應為下列何者?
(A)
同頻率反相之方波
(B)
16 倍頻率反相之方波
(C)
同頻率同相之方波
(D)
16 倍頻率同相之方波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
44.
有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數 g
m
= 1.5mΩ,r
d
= 10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R
S
,而汲極電阻R
D
= 10 kΩ,請問該電路之電壓增益A
V
為何?
(A)
−30
(B)
−18.75
(C)
−7.5
(D)
−5
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
45.
下列敘述,何者有誤?
(A)
MOSFET 電晶體為單極性(unipolar)電晶體
(B)
BJT 電晶體為雙極性(bipolar)電晶體
(C)
一般BJT 電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET 電晶體閘極的輸入阻抗小
(D)
MOSFET 電晶體為一種電流控制元件
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
46.
如圖所示電路,此電路功能為下列何種濾波器?
(A)
帶拒濾波器
(B)
帶通濾波器
(C)
高通濾波器
(D)
低通濾波器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
47.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器,若R
1
= R
2
,C
1
= C
2
,其電壓增益A
V
應為下列何者?
(A)
3
(B)
2
(C)
1
(D)
-1
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
48.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器,若 R
1
= 4kΩ, R
2
= 1kΩ, R
4
= 10kΩ,C
1
= 0.1μF, C
2
= 0.4μF,請問 R
3
之電阻值應為多少?
(A)
100 kΩ
(B)
90 kΩ
(C)
80 kΩ
(D)
70 kΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
49.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器,若 R
1
= 4 kΩ , R
2
= 1kΩ , R
4
= 10 kΩ , C
1
= 0.1μF , C
2
= 0.4μF ,該電路之電壓增益 A
V
應為多少?
(A)
10
(B)
9
(C)
8
(D)
7
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
50.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器,若 R
1
= 4kΩ , R
2
= 1kΩ , R
4
= 10kΩ , C
1
= 0.1μF , C
2
= 0.4μF ,該電路之回授量 β 應為多少?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
購買題庫後,可使用那些功能?
可觀看題目詳解,並提供模擬測驗!(免費會員無法觀看研究所試題解答)