103年特種考試交通事業鐵路人員考試高員三級_半導體工程
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題型:計算題
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4.
目前業界製作發光二極體 (Light emitting diode, LED) 或雷射二極體 (Laser diode, LD) 元件,最常用的磊晶方法為有機金屬化學氣相沈積法 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD),而較早期的磊晶技術液相磊晶法 (Liquid Phase Epitaxy, LPE),亦可製作LED或LD元件,請說明以MOCVD和LPE來比較,MOCVD法製作的優勢為何?(20分)
題型:計算題
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5.
請比較矽(Si)晶圓及砷化鎵 (GaAs) 晶圓用來製作積體電路晶片 (IC chip) 之優缺點。(20分)
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