首頁 > 線上測驗 > 公職考試>地方特考/四等>電子工程 > 101年特種考試地方政府公務人員三等考試 電子學
圖(一)所示為一運算放大器電路,試求出 (一) 轉移函數(transfer function)。 (二) 證明此轉移函數為一低通(low-pass)單一時間常數電路。 (三) 若此電路直流增益為40 dB,3-dB頻率為1 kHz,輸入電阻為1 kΩ,R1 =1 kΩ 試求出R2及C2值。
圖(二)所示為一共源極MOSFET放大器,利用汲極至閘極電阻RG作為偏壓。vi 為輸入訊號,經由一很大電容耦合至閘極。在汲極得到輸出訊號,經一很大電 容耦合至負載電阻RL,已知電晶體臨限電壓(threshold voltage)為Vt =1.5V,電 晶體之互導參數為Kn = K'n(W/L) =μnCox(W/L) = 0.25 mA/V2 ,其中μn , Cox,W,L各為表面通道(channel)電子之移動率、氧化層電容,通道寬度及通 道長度,厄粒電壓(Early voltage)為VA = 50 V,試求 (一) 偏壓電流ID及偏壓電壓VDS 。 (二) 電晶體小訊號參數gm(互導)及r0(輸出電阻)。 (三) 放大器的電壓增益Av ≡ vo / vi。
圖(三)所示為一差動放大器,β =100,VT 值為25 mV,試計算 (一) 輸入差動電阻Rid 。 (二) 總差動電壓增益vod / vsig (忽略r0效應)。 (三) CMRR值(以dB表示)(Common-mode rejection ratio)(若ΔRC = 0.02RC)。
圖(四)所示為一串聯-串聯回授電路,試求出 (一) β 值。 (二) 封閉迴路增益Af ≡ Io /Vs。 (三) Vo /Vs值。
(一) 試繪簡圖說明CMOS 反相器(CMOS Inverter) (二) 試說明SR 正反器及列出其真值表 (三) 試說明PROMS (Programmable ROMS) (四) 試說明pseudo-NMOS
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