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如圖一的二極體電路,設各二極體均為理想二極體,求: (1) 當VI = 0 V時,VA與VO之值分別為何? (2) 當VI = 6 V時,VA與VO之值分別為何? (3) 當VI =12V時,VA與VO之值分別為何? (4) 繪VO對VI 的轉換特性(transfer characteristics),並標示各斷點(break point)的座標VI 、VO之值。
如圖二的CE 放大器,電晶體之β= 50 ,ro →∞ ,取VT = 0.025 V, I =1mA,Rsig =10 kΩ,RB = 490 kΩ,RC = 5 kΩ,RL = 5 kΩ。(20分) (1) 求IC 之值; (2) 求電晶體之gm、re及rπ 之值; (3) 求中頻電壓增益AM ≡Vo /Vsig 的式子; (4) 若要使低頻之3-dB頻率ωL = 500 rad/sec,求CE之電容值至少要多大? (不計CC1、CC2之效應) (5) 若輸出端有負載電容CL與RL並聯,CL =100 pF =10−10F,求高頻之 3-dB頻率ωH =?不計其他電容之效應。
如圖三的MOS 差動放大器, Q1 = Q2 ,均操作於飽和模式,其 ID = 2(VGS −Vt)2 mA,Vt = 0.5 V,ro→∞ ,RD =2kΩ ,RS = 0.2kΩ , RL =10 kΩ,I =1mA,VDD = 3 V。 (1) 當VG1 =VG2 = 0,求VD1 =VD2之值及VA之值。 (2) 在共模操作並使Q1、Q2維持為飽和模式,其共模輸入電壓VCM 之最大值為何? (3) 求電晶體之gm值為何?
如圖四所示的電路中,運算放大器(op amp)之開迴路增益(open-loop gain)μ =104,差動輸入電阻(differential input resistance) Rid =100 kΩ,輸 出電阻ro = 0。(20分) (1) 求此電路的電壓增益Af ≡Vo /Vs之值; (2) 求由Vs 往輸入端看的輸入電阻Rif 之值; (3) 此電路的輸出電阻Rof 之值。
試以CMOS 邏輯電路分別繪出下列布林函數的電路:
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