105年特種考試交通事業鐵路人員考試高員三級_半導體工程
首頁
>
線上測驗
>
公職考試>電子工程(高員三級)
> 105年特種考試交通事業鐵路人員考試高員三級_半導體工程
年度
年度
106
105
104
103
1.
題型:計算題
難易度:尚未記錄
2.
回答下列問題:(每小題10分,共20分)
(一) 如下圖的兩個相同pnp雙極性電晶體 (Transistor A與Transistor B),除了它們的射極(
E
)
與集極(
C
)摻雜濃度剛好交換之外。請說明那一個電晶體預期具有較高的射極效率 (emitter efficiency)?那一個電晶體預期具有較高的集極-基極崩潰電壓 (collector-base breakdown voltage)?
(二) 關於npn雙極性電晶體,當我們縮小npn雙極性電晶體的平面結構 (planar configuration) 尺寸時,接面深度也必須同時縮減。請說明如何做出淺接面 (shallow junction)?
題型:計算題
難易度:尚未記錄
3.
(二) 請比較金屬-氧化層-半導體場效電晶體 (metal-oxide-semiconductor field-
effect transistor, MOSFET) 與調變摻雜場效電晶體 (modulation-doped field-effect transistor, MODFET) 在元件結構與特性上的差異。
題型:計算題
難易度:尚未記錄
4.
回答下列問題:(每小題10分,共40分)
(一) 一般清洗矽晶圓,都採用RCA cleans方式,請說明什麼是RCA cleans?
(二) 目前在超大型積體 (VLSI) 電路的金屬化 (metallization) 製程,多採用銅導線而不是鋁導線。因為採用鋁導線會產生電子遷移 (electromigration) 的問題,請說明什麼是電子遷移 (electromigration)?
(三) 請說明摻雜的二氧化矽 (doped silicon dioxide) 用途。
(四) 以砷化鎵的磊晶技術為例,請說明化學氣相沉積 (chemical vapor deposition, CVD) 與有機金屬化學氣相沉積 (metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) 兩者的差異。
題型:計算題
難易度:尚未記錄
購買題庫後,可使用那些功能?
可觀看題目詳解,並提供模擬測驗!(免費會員無法觀看研究所試題解答)