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試分析以下之電路,若運算放大器之偏移電壓(offset voltage)為10 mV, 輸入阻抗為無窮大,輸出阻抗為0,增益為10倍,vi =1V,R1 =1 kΩ, R2 = 9 kΩ。 (1) 試求vo為何? (2) 試求小信號增益(vo / vi )為何?
試分析以下之電路。若二極體之電流(ID) 與順偏電壓(VD)可近似為 ID=IsexpVD/VT,25oC 之熱電壓(VT) VT 為25 mV。D1之飽和電流(Is1)為D2 飽和電流(Is2)的1/10。 (1) 試求Vo =? (2) 若PN接面溫度上升至50oC,則Vo =?
試分析以下之電路。若RL =1 kΩ,C =1μF,電晶體M1與Q1之轉導值(gm ) 皆為1 mA/V,且其輸出阻抗(ro)皆為無窮大,Q1之電流增益值β=100, 電流源Ib1與Ib2之輸出阻抗亦為無窮大。 (1) 試求高頻小信號增益(vo / vi )為何? (2) 試求vo / vi之低頻3dB頻率點為何?
分析如下之電路。若R1 = 9 kΩ,R2 =100 kΩ,Rs =10 kΩ,C1 =10 pF, C2 =1 pF,Ib1為直流電流源,ii 為交流電流輸入信號,電晶體M1與M2之 轉導值(gm )皆為1 mA/V,忽略其輸出阻抗ro。 (1) 試求低頻小信號增益(vo / vi )為何? (2) 試求(vo / vi )之低頻3 dB頻寬。
分析如下之數位電路。若數位電路之邏輯1 為5 V,邏輯0 為0 V,反向 器D1之傳遞延遲為1奈秒(n sec),D2之傳遞延遲為2奈秒(n sec)。 (1) 試求Vo之頻率。 (2) Vo之工作週期(duty cycle)為何? (3) 試求NAND gate 之動態功率消耗。
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