108年台電雇員 電子學
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1.
若有一訊號其 i ( t ) = 4 + 2sin10t ,其平均值、有效值分別為何?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
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2.
帶電量 1.6 × 10
− 19
庫倫的電子,通過 1 伏特的電位差,所需的能量為何?
(A)
1.6 × 10
− 19
電子伏特 (eV)
(B)
1.6 × 10
− 19
焦耳
(C)
1 焦耳
(D)
1 瓦特
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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3.
若盤面中的保險絲燒毀,下列何種處置最為正確?
(A)
查明並排除燒毀原因
(B)
不立即復歸,過 10 分鐘後再通電
(C)
更換較大電流之保險絲
(D)
更換耐大電流電線
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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4.
現場作業時,欲確認盤面(電路板)上某一點是否帶電,可使用三用電錶進行
確認,請問此時三用電錶最合適選用的檔位為何?
(A)
電流檔
(B)
歐姆檔
(C)
電壓檔
(D)
二極體檔
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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5.
矽、鍺半導體材料的導電性,隨溫度上升將產生何種變化?
(A)
成為絕緣體
(B)
減少
(C)
不變
(D)
增加
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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6.
在矽半導體材料中,摻入三價的雜質,請問將形成 P 型或 N 型半導體?半導
體內部的多數載子為何?此塊半導體的電性為何?
(A)
P 型半導體、電洞、電中性
(B)
P 型半導體、電洞、正電
(C)
N 型半導體、電子、電中性
(D)
N 型半導體、電子、負電
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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7.
一般發光二極體,最主要的發光機制為何?
(A)
雪崩崩潰所誘發的發光現象
(B)
基板效應所產生的發光現象
(C)
電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象
(D)
電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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8.
在未加壓情況下, PN 接面的空乏區內,主要含有下列何者?
(A)
正離子與負離子
(B)
電子與電洞
(C)
電子
(D)
電洞
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
9.
若 PN 接面的空乏區兩側,P 型半導體與 N 型半導體的摻雜 (Doping) 濃度不同,
濃度較高者,該側空乏區寬度將如何變化?
(A)
較窄
(B)
相同於另一側
(C)
較寬
(D)
無法比較
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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10.
一般雙極接面電晶體 (BJT) 其基極 (B) 、集極 (C) 與射極 (E) 的摻雜濃度由大至小
依序為何?
(A)
B > C > E
(B)
B > E > C
(C)
E > C > B
(D)
E > B > C
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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11.
如圖所示之電路,理想稽納二極體 V
Z
= 15 V ,若 V
i
= 20 V ,則 V
o
為何?
(A)
10 V
(B)
12 V
(C)
15 V
(D)
20 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
12.
如圖所示之電路, V
i
= 110sin(377 t ) ,輕載且正常工作時,則下列敘述何者正確?
(A)
V
o
漣波大小和 L 值無關
(B)
L 值越小及 C
2
值越小, V
o
漣波越小
(C)
L 值越大及 C
2
值越大, V
o
漣波越小
(D)
V
o
漣波大小和 C
2
值無關
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
13.
一般常用 NPN BJT 與 PNP BJT 之工作頻率,下列敘述何者正確?
(A)
工作頻率完全相等
(B)
無法比較
(C)
PNP BJT 工作頻率高於 NPN BJT
(D)
NPN BJT 工作頻率高於 PNP BJT
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
14.
利用 BJT 作小信號的線性放大器,為避免輸出信號失真情形,必須施加適當的
偏壓使工作點 (Operating Point) 落在何區域內?
(A)
作用區 (Active Region) 與飽和區 (Saturation Region) 交界
(B)
作用區 (Active Region) 內
(C)
截止區 (Cut-off Region) 內
(D)
飽和區 (Saturation Region) 內
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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15.
對於需要具備低輸入阻抗及高輸出阻抗,卻不要求高電流增益的電路而言(如
電流緩衝器),最適合採用下列哪一種形式之電晶體放大電路?
(A)
共基極放大電路
(B)
共集極放大電路
(C)
無射極電阻之共射極放大電路
(D)
有射極電阻之共射極放大電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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16.
如圖所示之電路,若 BJT 之 β = 1000 , V
BE
= 0.7 V ,則 V
CE
約為何?
(A)
2.5 V
(B)
3.2 V
(C)
4.3 V
(D)
6.4 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
17.
(A)
0.1
(B)
1.5
(C)
10
(D)
50
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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18.
某 N 通道接面型場效電晶體 (JFET) 之夾止電壓 (Pinch-Off Voltage) V
p
= − 4 V 且
源極電壓 V
s
= 0 V ,則下列何者情況下,電晶體可工作於飽和區?
(A)
V
G
= − 5 V , V
D
= 1 V
(B)
V
G
= − 2 V , V
D
= 1 V
(C)
V
G
= 0 V , V
D
= 0 V
(D)
V
G
= 0 V , V
D
= 5 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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19.
下列放大電路中,何者電流增益略小於 1 ?
(A)
共集極放大電路
(B)
共基極放大電路
(C)
共射極放大電路
(D)
共源極放大電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
20.
如圖所示,若 BJT 之 β = 50 ,切入電壓 V
BE
= 0.7 V ,則集射極電壓 V
CE
約為何?
(A)
4.8 V
(B)
5.3 V
(C)
6.8 V
(D)
9.3 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
21.
如圖所示,若 BJT 之 β = 100 , V
CE
= 5 V , V
BE
= 0.7 V ,則 R
B
值約為何?
(A)
23 k Ω
(B)
41 k Ω
(C)
65 k Ω
(D)
87 k Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
22.
如圖所示,兩 BJT 之 β = 80 , V
BE
皆為 0.7 V ,若不需考慮 V
A
(Early Effect) ,且
r
π
很小可忽略的情況下,則輸入阻抗 Z
1
為何?
(A)
4 k Ω
(B)
81 k Ω
(C)
162 k Ω
(D)
324 k Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
23.
承第 22 題,輸入阻抗 Z
2
之值約為何?
(A)
1.73 M Ω
(B)
3 M Ω
(C)
6.4 M Ω
(D)
12.8 M Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
24.
串級放大電路作直流分析時,耦合電容及射極旁路電容可分別視為下列何者?
(A)
開路、開路
(B)
短路、短路
(C)
短路、開路
(D)
開路、短路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
25.
下列何者為運算放大器輸出電壓之最大變化率?
(A)
輸出電壓擺幅
(B)
共模拒斥比 (CMRR)
(C)
輸入抵補電壓
(D)
轉動率 (Slew Rate, SR)
題型:單選題
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看解答
26.
(A)
10
(B)
220
(C)
440
(D)
620
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
27.
有關差動放大器的特性, A
c
(共模增益)及 A
d
(差模增益),下列敘述何者有誤?
(A)
A
c
越小越好
(B)
A
d
越小越好
(C)
共模拒斥比 (CMRR) 定義為A
d
/ A
c
(D)
共模拒斥比 (CMRR) ,越大越能抑制雜訊
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
28.
有一串級放大器,其第一級電壓增益為 25 ,第二級電壓增益為 4 。請問在此狀
況下,其總電壓增益為何?
(A)
30 dB
(B)
40 dB
(C)
80 dB
(D)
100 dB
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
29.
有一 N 通道接面型場效電晶體 (JFET) ,若 V
GS
= − 2 V ,且 V
GS (off )
= − 4 V ,則當
V
DS
= 1 V 與 V
DS
= 5 V 時,此場效電晶體分別工作於何種區域?
(A)
截止區、歐姆區
(B)
截止區、飽和區
(C)
歐姆區、飽和區
(D)
飽和區、歐姆區
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
30.
如圖所示放大電路, V
io
為考慮運算放大器輸入抵補電壓後之等效電壓值。若
V
i
( t ) = 0 V 時,測得 V
o
( t ) = 20 mV ,則 V
io
為何?
(A)
2.5 mV
(B)
5 mV
(C)
10 mV
(D)
20 mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
31.
如圖所示之電路,在截止頻率時其電壓增益值約為何?
(A)
2 dB
(B)
− 2 dB
(C)
3 dB
(D)
− 3 dB
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
32.
關於濾波器的敘述,下列何者正確?
(A)
高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器
(B)
高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器
(C)
RC 低通濾波器的電容值與截止頻率成正比
(D)
RC 高通濾波器的電容值與截止頻率成正比
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
33.
如圖所示,假設 Q
1
、 Q
2
電晶體之參數完全相同,且電晶體之基極電流可忽略
不計, V
T
= 25 mV ,試求電路之小訊號電壓增益 v
o
/ v
i
約為何?
(A)
− 132
(B)
101
(C)
− 68
(D)
56
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
34.
如圖所示,假設經由小訊號分析得知 Z
1
= 2 MΩ ,則其電流增益 i
o
/ i
i
約為何?
(A)
1,000
(B)
1,200
(C)
3,200
(D)
4,800
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
35.
有關場效電晶體 FET 之敘述,下列何者正確?
(A)
不適合雙向開關使用
(B)
抵補電壓 (Offset Voltage) 極高
(C)
不適合作超大型積體電路
(D)
輸入阻抗極高
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
36.
下列敘述何者有誤?
(A)
MOSFET 電晶體為單極性 (Unipolar) 電晶體
(B)
MOSFET 電晶體為一種電流控制元件
(C)
一般 BJT 電晶體的基極輸入阻抗比 MOSFET 電晶體的閘極輸入阻抗小
(D)
BJT 電晶體為雙極性 (Bipolar) 電晶體
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
37.
如圖所示, V
D
= 15 V , V
GS
= − 3 V ,則 R
s
為何?
(A)
1.5 kΩ
(B)
2 kΩ
(C)
3 kΩ
(D)
4.5 kΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
38.
如圖所示,若 MOSFET 之臨限電壓 (Threshold Voltage) 為 2 V ,閘源極間電壓
V
GS
= 4 V 時,其汲極電流 I
D (on )
= 20 mA ,則此電路之汲源極間電壓 V
DS
及汲極
電流 I
D
分別約為何?
(A)
3.4 V 、 18.4 mA
(B)
4.3 V 、 18.4 mA
(C)
5.4 V 、 15.3 mA
(D)
4.5 V 、 15.3 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
39.
如圖所示,若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應, f
L
與 f
H
分別為低
頻與高頻截止頻率,則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成?
(A)
雜散電容
(B)
極間電容
(C)
分佈電阻
(D)
耦合電容
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
40.
如圖所示, R
G
= 10 k Ω , R
D
= 5 k Ω ,若 JFET 之 r
ds
= 20 k Ω , g
m
= 1.5 (mA/V) ,
電壓增益v
o
/ v
s
為何?
(A)
− 2
(B)
− 4
(C)
− 6
(D)
− 8
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
41.
如圖所示 JFET 共源極放大電路,若 JFET 之轉移電導 g
m
= 2 (mA / V) ,輸出電
阻 r
d
= 40 kΩ ,則放大電路的電流增益 i
o
/ i
i
為何?
(A)
− 200
(B)
− 250
(C)
− 400
(D)
− 500
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
42.
如圖所示,若 JFET 的轉移電導 g
m
= 4 (mA / V) ,不考慮汲極輸出電阻時,則
輸出電阻 Z
o
為何?
(A)
100 Ω
(B)
200 Ω
(C)
250 Ω
(D)
1000 Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
43.
有關 JFET 共汲極放大電路之敘述,下列何者正確?
(A)
又稱為源極隨耦器
(B)
電壓增益甚高
(C)
輸出訊號與輸入訊號相位相反
(D)
電流增益低於 1
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
44.
某 N 通道增強型 MOSFET 放大電路, MOSFET 之臨限電壓 (Threshold Voltage)
V
t
= 2 V ,參數 K = 0.3 (mA / V
2
) ,若 MOSFET 工作於夾止區(飽和區),且閘
源極間電壓 V
GS
= 4 V ,則轉移電導 g
m
為何?
(A)
0.6 mA/V
(B)
1.2 mA/V
(C)
1.8 mA/V
(D)
2.4 mA/V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
45.
有關場效電晶體放大器之敘述,下列何者有誤?
(A)
共源極 ( CS ) 放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號
(B)
共閘極 ( CG ) 放大器輸入阻抗小,適合輸入電流訊號
(C)
共汲極 ( CD ) 放大器輸出與輸入電壓訊號同相,適合作電壓放大器
(D)
共汲極 ( CD ) 放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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46.
如圖所示電路,假設使用理想運算放大器, R
1
= R
4
= 10 k Ω , R
2
= 20 k Ω ,
C
1
= 0.2 μF , C
2
= 0.1 μF ,試求在巴克豪森 (Barkhausen) 準則下,此電路產生振
盪的 R
3
值為何?
(A)
10 kΩ
(B)
20 kΩ
(C)
40 kΩ
(D)
60 kΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
47.
使用非反相放大器之韋恩電橋 (Wien-Bridge) 振盪電路,若要產生振盪,則回授
網路相移角度為何?
(A)
0°
(B)
90°
(C)
180°
(D)
270°
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
48.
如圖所示運算放大器之 RC 相移電路,其振盪頻率與振盪條件下列何者正確?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
49.
如圖所示,為類似韋恩電橋的振盪電路,若 L = 100 μH , R = 314 Ω , R
3
= 3 kΩ ,
R
4
= 1 kΩ ,試問此電路的振盪頻率約為何?
(A)
500 kHz
(B)
250 kHz
(C)
100 kHz
(D)
50 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
50.
如圖所示為常見振盪電路,若運算放大器之飽和電壓 + V
sat
與 − V
sat
分別為 12 V
與 − 12 V ,則輸出信號 V
o
為何?
(A)
峰值為 6 V 之三角波
(B)
峰值為 12 V 之方波
(C)
峰值為 6 V 之方波
(D)
峰值為 12 V 之三角波
題型:單選題
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