106 年台電雇員 電子學
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1.
有一脈波寬度為100 μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為何?
(A)
0.2 kHz
(B)
0.5 kHz
(C)
2 kHz
(D)
5 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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2.
如圖所示電路,若二極體之導通電壓為0.7 V,則輸出電壓值V
o
為何?
(A)
3.7 V
(B)
4.7 V
(C)
6.7 V
(D)
10 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
3.
有一電源電路之輸出電壓V (t) = 10 + 0.2sin(ωt)伏特,則其漣波因數百分比約為多少?
(A)
1.41%
(B)
2%
(C)
4.24%
(D)
5.21%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
4.
有一直流電源之電動勢為30 V,內阻為2 Ω,滿載時所提供之電流為2.5 A,則此電源之電壓調整率為何?
(A)
25%
(B)
20%
(C)
15%
(D)
10%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
5.
如圖所示電路,假設射極電壓V
E
= −0.7 V,β = 50,V
CC
= 10 V,則 V
C
約為多少?
(A)
1.37 V
(B)
3.82 V
(C)
5.44 V
(D)
7.73 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
6.
下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的?
(A)
決定電晶體的α 值
(B)
決定電晶體的工作溫度
(C)
決定電晶體的β 值
(D)
決定電晶體的工作點(operating point)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
7.
如圖所示電路,Q
1
與 Q
2
為匹配之電晶體( β
1
= β
2
= β) ,且皆操作於作用區(active region),請問
為下列哪個選項?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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8.
當一輸出額定值為40 W 的放大器被接到一個10 Ω的揚聲器上,若放大器之功率增益為20 dB,試求在全功率輸出時,輸入功率應為多少?
(A)
500 mW
(B)
400 mW
(C)
300 mW
(D)
200 mW
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
9.
有一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓V
T
= 2V,當V
GS
= 5 V 時,MOSFET工作於飽和區(夾止區),且I
D
= 3mA。若V
GS
= 8 V,則轉移電導 g
m
為何?
(A)
1 mS
(B)
2 mS
(C)
4 mS
(D)
6 mS
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
10.
如圖所示電路,已知g
m
= 5mS,r
d
= 20 kΩ,則 V
o
為何?
(A)
−10mV
(B)
10mV
(C)
−20mV
(D)
20mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
11.
如圖所示電路,若 Q
1
與 Q
2
完全相同,則V
o
的週期約為多少?
(A)
2.1 R
C
(B)
2 R
C
(C)
1.4 R
C
(D)
0.7 R
C
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
12.
如圖所示電路,為______濾波電路,其截止頻率為______,請問空格處應填入下列哪組選項?
(A)
低通、
(B)
低通、
(C)
高通、
(D)
高通、
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
13.
運算放大器若利用RC 相移電路產生振盪,則此RC 電路必須提供的相位移為何?
(A)
90度
(B)
180度
(C)
270度
(D)
360度
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
14.
有一只PN矽質二極體之溫度為25°C時,其順向電壓為0.7 V,則當溫度上升到多少°C時,其順向電壓為0.5 V?
(A)
105
(B)
125
(C)
145
(D)
165
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
15.
如圖所示電路,其I −V 特性曲線為下列何者?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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16.
若有一共射極組態電晶體之α 值由0.98 變至0.99,則β 值變化為何?
(A)
由99 變為49
(B)
由88 變為49
(C)
由49 變為88
(D)
由49 變為99
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
17.
有關電晶體的結構與特性,下列敘述何者有誤?
(A)
NPN 電晶體少數載子為電洞
(B)
含雜值比例是射極多於集極
(C)
含雜值比例是基極多於集極
(D)
PNP 電晶體的射極內,電子為多數載子
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
18.
如圖所示之LED 驅動電路,使LED 發亮的電壓為2 V,電流為15 mA,假設飽和電晶體之V
CE(sat)
電壓降可忽略不計, V
BE(sat)
= 0.8V,試求R
B
、 R
C
的適當電阻值為何?
(A)
15 kΩ、100 Ω
(B)
15 kΩ、200 Ω
(C)
25 kΩ、100 Ω
(D)
25 kΩ、200 Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
19.
如圖所示之放大電路,已知電晶體的β 值為109,此電路的 r
π
為1.1kΩ,則此放大電路的輸出阻抗Z
o
約為多少?
(A)
1 kΩ
(B)
100 Ω
(C)
9.9 Ω
(D)
0.99 Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
20.
有一電路之電流增益 A
i
= 49,輸入阻抗為2 kΩ,輸出阻抗為18 kΩ,則此電路之電壓增益為何?
(A)
69
(B)
245
(C)
441
(D)
521
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
21.
有一個 N 通道 JFET,若I
DSS
= 12 mA, VGS
(OFF)
= V
P
= −4 V,則V
GS
= −2 V 時的I
D
電流值為何?
(A)
6 mA
(B)
3 mA
(C)
2 mA
(D)
0 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
22.
有一個 P通道增強型 MOSFET,其臨界電壓V
T
= −2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何?
(A)
7 V
(B)
5 V
(C)
3 V
(D)
2 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
23.
下列由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中,哪一種電路中之OPA 的輸入端不可看成虛短路?
(A)
比較器
(B)
非反相放大器
(C)
反相放大器
(D)
微分器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
24.
有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為 V
i1
= 55μV, V
i2
= 45μV,共模拒斥比CMRR(dB) = 40 dB,差模增益 A
d
= 500,則下列何者正確?
(A)
共模增益 A
C
= 10
(B)
差模輸入電壓V
d
= 5 μV
(C)
共模輸入電壓V
C
= 100 μV
(D)
輸出電壓V
o
= 5.25 mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
25.
有關理想運算放大器的特性,下列敘述何者有誤?
(A)
輸出阻抗無限大
(B)
有虛擬接地現象
(C)
輸入阻抗無限大
(D)
開迴路電壓增益無限大
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
26.
類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者?
(A)
平均值
(B)
最大值
(C)
有效值
(D)
波形與頻率
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
27.
下列何者不是二極體常見的功用?
(A)
整流
(B)
截波
(C)
濾波
(D)
保護
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
28.
稽納二極體(Zener Diode)常應用於下列何種電路?
(A)
穩壓電路
(B)
微分電路
(C)
濾波電路
(D)
放大電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
29.
如圖所示,V
i
= 20 V,稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓V
z
= 10 V, R
1
= 1kΩ, R
2
= 2kΩ,則輸出電壓值 V
o
為何?
(A)
5 V
(B)
10 V
(C)
13 V
(D)
20 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
30.
如圖所示,V
i
= 20V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
z
= 8 V,R
1
= 1kΩ,R
2
= 2kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率為多少?
(A)
64 mW
(B)
24 mW
(C)
16 mW
(D)
趨近0 W
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
31.
如圖所示,V
i
= 10 V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
z
= 8 V,R
1
= 1kΩ,R
2
= 2kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率為多少?
(A)
64 mW
(B)
24 mW
(C)
16 mW
(D)
趨近0 W
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
32.
有一電晶體,適當偏壓於作用區,測得I
B
= 0.05mA,I
E
= 5 mA,則此電晶體的α 值為多少?
(A)
0.01
(B)
0.99
(C)
9.9
(D)
100
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
33.
下列何種電路不具備電流放大的功能?
(A)
共基極放大電路
(B)
共射極放大電路
(C)
共集極放大電路
(D)
達靈頓電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
34.
下列何種BJT 電晶體放大電路組態之功率增益最高?
(A)
共閘極組態
(B)
共集極組態
(C)
共基極組態
(D)
共射極組態
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
35.
一般BJT 電晶體作為小信號線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(operating point)落在下列哪種區域內,可獲得較佳之放大倍率?
(A)
作用區(active region)內
(B)
反向作用區(reversed, active region)內
(C)
截止區(cut-off region)內
(D)
飽和區(saturation region)內
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
36.
如圖所示電路,電晶體的β = 100,集極電流為2 mA,V
CE
= 4V, R
C
兩端之電壓為4 V,V
BE
= 0.7 V,則 R
E
之電阻值約為多少?
(A)
0.2 kΩ
(B)
2 kΩ
(C)
20 kΩ
(D)
200 kΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
37.
如圖所示電路,電晶體的β = 120, V
CE(sat)
= 0.2V, V
BE(act)
= V
BE(sat)
= 0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
= 5.6 V,當V
i
= 2 V, V
o
約為多少?
(A)
2.8 V
(B)
5.6 V
(C)
6.3 V
(D)
7.3 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
38.
如圖所示電路,電晶體的β = 120, V
CE(sat)
= 0.2V, V
BE(act)
= V
BE(sat)
= 0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
= 5.6 V,當V
i
= 3 V, V
o
約為多少?
(A)
2.8 V
(B)
4.3 V
(C)
5.6 V
(D)
7.3 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
39.
如圖所示電路,電晶體的β = 120, V
CE(sat)
= 0.2V,V
BE(act)
= V
BE(sat)
= 0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
= 5.6 V,當V
i
= 3 V時,電流I 約為多少?
(A)
5.3 mA
(B)
5.17 mA
(C)
4.9 mA
(D)
0 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
40.
對於達靈頓(Darlington)電路特徵的敘述,下列何者有誤?
(A)
電壓增益高
(B)
輸入阻抗高
(C)
電流增益高
(D)
輸出阻抗低
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
41.
已知一放大電路電壓增益A
V
為100,電流增益 Ai為10,則其功率增益 A
P
(dB)為多少?
(A)
10 dB
(B)
30 dB
(C)
60 dB
(D)
1000 dB
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
42.
下圖所示CMOS 反相器電路,若不計電路延遲,且輸入信號如標示(a)之弦波,則輸出之信號V
o
應為下列何者?
(A)
同頻率之脈波
(B)
16 倍頻率之脈波
(C)
同頻率之弦波
(D)
16 倍頻率之弦波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
43.
下圖所示CMOS 反相器電路,若不計電路延遲,且輸入信號如標示(b)之方波,則輸出之信號V
o
應為下列何者?
(A)
同頻率反相之方波
(B)
16 倍頻率反相之方波
(C)
同頻率同相之方波
(D)
16 倍頻率同相之方波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
44.
有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數 g
m
= 1.5mΩ,r
d
= 10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R
S
,而汲極電阻R
D
= 10 kΩ,請問該電路之電壓增益A
V
為何?
(A)
−30
(B)
−18.75
(C)
−7.5
(D)
−5
題型:單選題
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看解答
45.
下列敘述,何者有誤?
(A)
MOSFET 電晶體為單極性(unipolar)電晶體
(B)
BJT 電晶體為雙極性(bipolar)電晶體
(C)
一般BJT 電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET 電晶體閘極的輸入阻抗小
(D)
MOSFET 電晶體為一種電流控制元件
題型:單選題
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46.
如圖所示電路,此電路功能為下列何種濾波器?
(A)
帶拒濾波器
(B)
帶通濾波器
(C)
高通濾波器
(D)
低通濾波器
題型:單選題
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47.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器,若R
1
= R
2
,C
1
= C
2
,其電壓增益A
V
應為下列何者?
(A)
3
(B)
2
(C)
1
(D)
-1
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
48.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器,若 R
1
= 4kΩ, R
2
= 1kΩ, R
4
= 10kΩ,C
1
= 0.1μF, C
2
= 0.4μF,請問 R
3
之電阻值應為多少?
(A)
100 kΩ
(B)
90 kΩ
(C)
80 kΩ
(D)
70 kΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
49.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器,若 R
1
= 4 kΩ , R
2
= 1kΩ , R
4
= 10 kΩ , C
1
= 0.1μF , C
2
= 0.4μF ,該電路之電壓增益 A
V
應為多少?
(A)
10
(B)
9
(C)
8
(D)
7
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
50.
如圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器,若 R
1
= 4kΩ , R
2
= 1kΩ , R
4
= 10kΩ , C
1
= 0.1μF , C
2
= 0.4μF ,該電路之回授量 β 應為多少?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
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