如圖電路 V DD = + 5 V , R D = 4 k Ω, R G1 = 8 k Ω, R G2 = 4 k Ω, MOSFET 之臨界電壓(threshold voltage) V t = 0 . 75 V ,製程參數 k n = k n ′ ( W / L ) = 8 mA / V 2 ,求算 I D 以及MOSFET 轉導 (transconductance) g m 之值。( 20 分)
題型:計算題
難易度:尚未記錄
2.
如圖中電晶體偏壓於主動區,其小訊號參數 g m 、 r π 、 r o 、 β = g m r π 為已知, v sig 為外加電壓訊號源。畫出圖二電路的小訊號等效電路,並列式推導 R o 之數學式,以 R E 、R C 、 R sig 及電晶體小訊號參數表示。( 20 分)
題型:計算題
難易度:尚未記錄
3.
如圖中電晶體偏壓於飽和區,小訊號參數 g m = 2.4 mA/V , r o = 10 kΩ ,寄生電容 C gs = 5 / π pF 與 C gd = 0 . 35 / π pF 。取 R sig = 0.4 k Ω , R L = 20 k Ω , C L = 0.5 / π pF 。低頻時其輸入電阻 R in 與輸出電阻 R o 公式如圖所示。以開路時間常數法估算此放大器增益A v = v o / v sig 之高頻 3-dB 頻率,以 Hz 表示,忽略電晶體之 body effect 。( 20 分)
題型:計算題
難易度:尚未記錄
4.
如圖 (a) 運算放大器開路增益 A v = v i / v s = 20 V/V ,其他特性均為理想;放大器 A a 之v o − v i 轉換曲線如圖 (b) 。畫出 v o − v s 大訊號操作之轉換曲線,必須標示各線段之轉折點電壓與斜率,並詳列數學式說明所得之各數據。( 20 分)
題型:計算題
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5.
如圖反相器之高低電位輸入雜訊邊限 (noise margin) 分別定義為 NM H = V OH − V IH 與NM L = V IL − V OL ,其中 V IL 與 V IH 為其 v o − v i 轉換曲線斜率為 − 1 時之輸入電位, V OH與 V OL 分別為反相器輸出之高低電位,且輸入為 V OH 與 V OL 時其輸出分別為 V OL 與V OH 。電晶體 Q 之製程參數 k′n ( W / L ) = 2 mA / V2 , V t = 0 . 8 V , r o = ∞ 。 V DD = 1 . 6 V ,R D = 20 kΩ ,求算其 V OH 、 V IH 、 V IL 與 V OL 。( 20 分)