106年經濟部所屬事業機構新進職員甄試_電子學
首頁
>
線上測驗
>
就業考試>國營事業專班
> 106年經濟部所屬事業機構新進職員甄試_電子學
年度
年度
106
104
×
Close
注意 !
請選擇題數。
模擬測驗
順序排列
隨機排列
- 選擇題數 -
5 題
10 題
15 題
20 題
25 題
全部 (25 題)
1.
理想二極體組成之箝位器 (Diode Clampers) 電路,如圖所示,若輸入為 0~10 V之方波,試求其輸出電壓範圍?
(A)
− 10 ~ 0 V
(B)
− 7 ~ 3 V
(C)
− 3 ~ 7 V
(D)
3 ~ 10 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
2.
若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25° C 時崩潰電壓為 15V ,溫度係數為 0.02 % /° C,若崩潰電壓升為 15.135 V ,求當時溫度為何?
(A)
35° C
(B)
45° C
(C)
60° C
(D)
70° C
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
3.
關於蕭特基二極體 (Schottky Diode) 特性,下列敘述何者有誤?
(A)
並非一般二極體的 pn 接面,而是半導體與金屬接面
(B)
對於偏壓改變有快速反應能力,應用於高頻與高速切換
(C)
順向電壓降約為 0.3 V
(D)
靠多數載子操作,有大量逆向漏電流
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
4.
經過全波整流器 (Full-Wave Rectifier) 之正弦波信號,輸出電壓平均值 V
avg
與輸入電壓峰值 V
p
的關係為?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
5.
有關於 BJT 電晶體 (npn) 之敘述,下列敘述何者有誤?
(A)
基極 - 射極、基極 - 集極接面皆施與順向偏壓,電晶體將工作於飽和區
(B)
當基極電流逐漸下降為 0 ,電晶體將進入截止區
(C)
在飽和區工作之電晶體, I
C
= β
DC
I
B
(D)
一般 BJT 之電壓增益參數 β
DC
會隨著接面溫度 T
j
上升而增加
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
6.
一 BJT 電晶體直流工作電路如圖,若不希望電晶體進入飽和區,請問 V
in
在基極端所產生之電流最大允許增加量為何?
(A)
100 μA
(B)
150 μA
(C)
175 μA
(D)
200 μA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
7.
若一 BJT 電晶體分壓器偏壓電路如圖,若電晶體 β
DC
= 100 ,試求 V
C
?
(A)
2 V
(B)
4.3 V
(C)
5 V
(D)
8.5 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
8.
有一差動放大器, CMRR = 2000 、共模增益 A
CM
= 0.2 、輸入電壓分別為 200 μV 、 100 μV ,求輸出電壓?
(A)
39.97 mV
(B)
40 mV
(C)
40.03 mV
(D)
40.96 mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
9.
對於電晶體組成共射極放大器 (Common-Emitter Amplifier) 電路特性,下列敘述何者有誤?
(A)
高電壓增益
(B)
加入射極旁路電容可提高電壓增益
(C)
高電流增益
(D)
輸出與輸入電壓同相
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
10.
關於達靈頓對 (Darlington Pair) 組成之射極隨耦器,下列敘述何者正確?
(A)
輸入阻抗低
(B)
可作為低阻抗負載緩衝器
(C)
高電壓增益
(D)
輸出阻抗高
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
11.
關於放大器之敘述,下列敘述何者有誤?
(A)
A 類放大器效率最高約有 79%
(B)
B 類放大器偏壓在截止點
(C)
AB 類放大器可改善交越失真現象 (Crossover Distortion)
(D)
C 類放大器偏壓在截止點以下
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
12.
有一 AB 類放大器電路如圖,試求其交流輸出功率為?
(A)
0.5 W
(B)
0.9 W
(C)
1.25 W
(D)
1.5 W
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
13.
如圖之 JFET 共源極放大器電路,若 V
GS
= 20 V 時、反向漏電流 I
GSS
= 50 nA ,由信號源看入之輸入阻抗為何?
(A)
19.05 MΩ
(B)
20 MΩ
(C)
20.95 MΩ
(D)
23.33 MΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
14.
對 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路,若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點,意即
,下列哪一種方式可達成?
(A)
V
GS
= V
GS
(off)
/ 2
(B)
V
GS
= V
GS
(off)
/ 3.4
(C)
V
D
= V
DD
/ 2
(D)
V
D
= V
DD
/ 3.4
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
15.
有一增強型 MOSFET,其臨界電壓 V
GS(th)
= 2 V,當 V
GS
= 8 V 時、對應之 I
D(on)
= 200 mA,求 V
GS
= 5 V 時之 I
D
值?
(A)
50 mA
(B)
100 mA
(C)
125 mA
(D)
150 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
16.
下列敘述何者有誤?
(A)
JFET 共源極放大器相較於 BJT 共射極放大器,輸入阻抗較低
(B)
JFET 共源極放大器,輸入 V
GS
與輸出 V
DS
電壓呈現 180° 反相
(C)
JFET 源極隨耦器電壓增益 A
V
約略等於 1
(D)
JFET 共閘極放大器具有低輸入阻抗
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
17.
如圖之 MOSFET 電路架構, A 、 B 為輸入, V
out
為輸出,若希望輸出得到高電位 ( V
DD
) ,試問 A 、 B 輸入應為何?
(A)
0、0
(B)
0、V
DD
(C)
V
DD
、0
(D)
V
DD
、V
DD
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
18.
下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大?
(A)
耦合電容
(B)
旁路電容
(C)
電晶體內部電容
(D)
反耦合電容
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
19.
關於負回授與非負回授運算放大器比較,下列敘述何者有誤?
(A)
負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180° 反相
(B)
負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益
(C)
負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗目的
(D)
負回授運算放大器可以得到較大頻寬
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
20.
如圖之理想運算放大器電路,具有 100 dB 開迴路增益和 4 MHz 的單位增益頻寬 f
T
,下列敘述何者有誤?
(A)
屬於反相放大器
(B)
電壓增益為 − 5
(C)
輸入阻抗約為 1 kΩ
(D)
閉迴路頻寬約為 80 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
21.
若有一 BJT 電晶體在工作區時,其基極電流為 0.2 mA 、射極電流為 20 mA ,試求其直流增益 β
DC
為何?
(A)
49
(B)
50
(C)
99
(D)
100
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
22.
試求如圖中低通濾波器臨界頻率 f
C
為何?
(A)
3.98 kHz
(B)
7.96 kHz
(C)
12.58 kHz
(D)
15.92 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
23.
關於振盪器之敘述,下列敘述何者有誤?
(A)
回授信號相位移必須為 180°
(B)
柯畢子振盪器 (Colpitts Oscillator) 使用 LC 回授電路
(C)
迴路增益必須為 1
(D)
相移振盪器至少需使用三級 RC 相移電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
24.
有一 MOSFET ,若 I
DSS
= 10 mA 、 V
GS(off)
= − 4 V ,當 V
GS
= −2 V 時,試求其轉換電導 g
m
?
(A)
1 mS
(B)
2.5 mS
(C)
5 mS
(D)
9 mS
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
25.
如圖 JFET 共源極放大器電路,試求電壓增益 A
V
為何?
(A)
−5
(B)
−4
(C)
−1.6
(D)
−1.2
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
購買題庫後,可使用那些功能?
可觀看題目詳解,並提供模擬測驗!(免費會員無法觀看研究所試題解答)