首頁 > 線上測驗 > 公職考試>地方特考/四等>電信工程 > 101年特種考試地方政府公務人員四等考試 電子學概要
圖(一)所示為一電晶體電路,若電晶體工作於主動區(active region),則基極至 射極導通電壓,VBE(on) = 0.7 V,若電晶體工作於飽和區(saturation region),則 VCE(sat) = 0.2 V,試求IB及IC 電流,已知電晶體之β值為100。
圖(二)所示為一截波器(clipper)電路,若二極體D1、D2均為理想二極體,輸入VI 是峰值為6 V之正弦波,試求出VO之波形。
圖(三)所示為一運算放大器電路,若輸入電壓為VI1及VI 2,輸出電壓為Vo,試 求(一)Vo值與VI1及VI2之關係方程式,(二)若,試求V0值。
圖(四)所示為一回授放大器電路,電晶體參數為hFE =100,VBE(on) = 0.7 V,厄 粒電壓(Early voltage)VA =∞ ,偏壓電流及偏壓電壓各為ICQ = 0.492 mA 及 VCEQ = 5.08V,試求出(一)小訊號等效電路及(二)電壓增益值。
(一) 試繪CMOS 反相器電路圖並說明其功能 (二) 試說明C 級放大器特性 (三) 試說明NAND Gates 特性 (四) 試說明R-S 正反器特性
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