請說明N 型半導體與P 型半導體放在一起形成PN 接面,為何於接面處
形成內建電場,請說明之,並請繪圖標示電場方向。
一電流放大器有輸入阻抗100Ω,輸出阻抗100 kΩ,電流增益10000,若
電流源具100 kΩ電源電阻,且負載100Ω,求電壓增益與功率增益。
若二極體為理想二極體,求圖(一)之I 與V。
設電晶體β為無限大,求圖(二)所標示之I1,V2,I3,V4,I5,V6。
一加強型NMOS 電晶體其Vt = 2 V,源極接地,閘極接3V 電源,試問
(1)VD = 0.5V,(2)VD =1V,(3)VD = 5 V 時電晶體工作在那一種模式?請
說明之。
設| vBE |≈ 0.7V,α ≈1,分析電路圖(三)之vE ,vC1,vC2。
某並串回授放大器如圖(四)所示,其中之電流放大器為一理想放大器。
Is =100 μA,If = 90 μA,Io =10mA。試求電流放大器之電流增益A 及
此回授放大器之回饋因子β ,並標示其單位。
若一電晶體額定功率為20W,最大接面溫度, Jj,max = 175oC,有一
θcase-snk =1oC/W和θsnk-amb =5oC/W的散熱器加在電晶體上,試求電晶體
最大安全消耗功率。(設外界溫度為25?C)
如圖(五),NMOS 傳輸閘的門檻電壓VTH =1V,求以下條件輸出電壓vO:
(1) vI =φ = 5 V,(2)vI = 3V,φ = 5V,
(3) vI = 4.2 V,φ = 5V,(4)vI = 5V,φ = 3V。
請繪出CMOS反相器之電路。若負載電容2pF,偏壓VDD ≈ 5 V,頻率100
kHz,求其消耗功率。
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