圖一所示之電晶體放大器電路中,輸入訊號電壓vs 為一正弦波電壓。已
知該電路之參數為:VCC = +15V、VEE = −15V、RS = 2.02kΩ、RL =10kΩ;
電晶體參數為:共射極電流增益(common-emitter current gain)β = 99、輸
出電阻(output resistance) ro = 200kΩ、熱電壓(thermal voltage)VT = 25mV、
VBE = 0.7V。
(1) 試求電阻器RE 及RC 之值,以使該電晶體工作點之射極電流(emitter
current)為0.5mA且集極電壓(collector volatage)為+ 5V。(10分)
(2) 試求該放大器的電壓增益(voltage gain)。
圖二為由兩個相同的N 通道(N-channel)MOS 電晶體所組成的電路,已知
單一個NMOS 電晶體之參數為:臨界電壓(threshold voltage)Vt =1V、製
程轉導參數(process transconductance parameter) μnCox = 120μA/V2、通道
長度(channel length) L = 1 μm 、製程技術參數(process-technology
parameter) λ = 0V-1。若欲使該電路具有之電氣數值為:VDD =10V 、
I = 240μA、V1 = 5V、V2 = 2V,試求:
(1) NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度(gate width)。(10分)
(2) 電阻器R 之值。
如圖三所示之雙運算放大器(operational amplifier)電路,假設兩運算放大
器均為理想元件,試求該電路電壓增益(voltage gain)之表示式。
如圖四所示之運算放大器(operational amplifier)電路,假設該運算放大器
為理想元件,試求該電路電壓增益(voltage gain)之表示式。
如圖五所示之單相半控轉換器(single-phase semiconverter),已知輸入之單
相電壓vs(t)=Vmcos(ωt)V,負載以一個R−L電路與一個電池電壓VB串聯
來表示。若兩個閘流體(thyristors)及三個二極體(diodes)均為理想元件,且
兩個閘流體的閘極(gate)均在適當的角度做觸發(trigger)。試以閘流體之觸
發角(trigger angle)α 為變數,求出穩態下:
(1) 閘流體電流iTH (t)之有效值(effective value)及平均值(average value)。
(2) 負載電流iL(t)之有效值及平均值。
可觀看題目詳解,並提供模擬測驗!(免費會員無法觀看研究所試題解答)