如圖一所示將B端接地,A端加+20V直流電壓,求AB端之等效電容值,
假設D1、D2為相同之P-N 二極體,R1 =1 kΩ,R2 = 2 kΩ,矽之相對介
電常數為11.8,二極體之built-in voltage 為0.85 V,P 型半導體之acceptor
濃度NA = 3×1018cm−3,N型半導體之donor濃度ND = 3×1016cm−3,ni值
為1.5×1010cm−3,二極體截面積為0.02 cm2,ε0=8.854×10-12F/m
如圖二所示電路,其中Q1 與Q2 相同,且VBE = 0.7 V ,β=150 。
C1 = C2 = ∞ F,R1 =1.2MΩ,R2 = 3 kΩ,R3 =1 kΩ,VCC = +5 V,(1)求
Q1、Q2 之DC 集極電流(collector current) IC1及IC2 =?(2)求電壓增益
Vo /Vi =?(VT = kT / q = 25 mV)
如圖三所示電路,其中Q1 之gm1和Q2 之gm2 皆為5 mA/V , R1 = R2
= 4 kΩ,R3 =1 kΩ,R4 = R5 = 22 kΩ,R6 = R7 = 5 kΩ,假設忽略r0之影
響,請計算此電路之電壓增益Vo /V1 =?
請將Transfer Function (1)(2)
Bode Plots(波德圖)分別畫出,包含Magnitude Response 和Phase
Response,並同時將實際之響應曲線趨勢畫出,並標示Bode Plots 之重要
參數,包含相角變化和頻率的關係,增益大小變化和頻率的關係,同時
說明這些關係的意義,請同時詳細說明3 dB 點之意義,3 dB 點由電子電
路的什麼參數決定,以及Bode Plots 的用途。
請畫元件結構圖和I-V(電流-電壓)關係圖,說明SCR (silicon-controlled
rectifier)及GTO (gate turn off thyristor)之原理,同時說明在同樣的矽晶片
大小及條件下所製作之SCR 及GTO 功率額定值之差異。
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