103年特種考試地方政府公務人員考試三等_半導體工程
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年度
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1.
(一)假如a表示某一半導體的晶格常數(lattice constant),且該半導體具有體心立方(body-centered cubic)的結晶結構,請計算該半導體單位體積所含有原子數目。
(二)請計算該半導體表面的單位面積所含的原子數目。
題型:計算題
難易度:尚未記錄
2.
(一)一般n型半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖可以分成三段區域,分別為低溫的冷凍(freeze out)區域、中間溫度的外摻(extrinsic)區域與高溫的本質(intrinsic)區域,各相鄰區域之間都有一轉折溫度值或轉折溫度範圍。對於電子濃度為1 × 1014 cm-3、1 × 1016 cm-3與1 × 1018 cm-3的三個半導體材料,請繪出這三個半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖於同一個圖中。
(二)關於矽半導體的電子漂移速度(electron drift velocity)對電場的關係圖,可以分成兩段區域,請分別說明在低電場(低於1 × 105 V/cm)與高電場(高於1 × 105 V/cm)時電子漂移速度與電場的關係。
題型:計算題
難易度:尚未記錄
3.
(一)由一n型矽半導體與金(Au)形成蕭特基接面(Schottky junction),假如金的功函數(work function)為4.8 eV,矽的電子親和力(electron affinity)為4.05 eV ,矽的能隙為1.1 eV,矽的功函數為 4.15 eV,請計算此蕭特基接面的能障值(barrier height)與內建電位值(built-in potential)。
(二)請說明npn雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)工作在什麼偏壓條件下,它的有效中性基極(base)寬度會減少?這稱為什麼效應?又請說明工作在什麼偏壓條件下,它的有效中性基極(base)寬度會增加?這稱為什麼效應?
(三)請說明製作白光發光二極體(LED)較常用的兩種方法。
題型:計算題
難易度:尚未記錄
4.
(一)有一種使用TEOS(tetraethyl orthosilicate)為原料的電漿加強式化學氣相沉積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技術成長二氧化矽(SiO2)薄膜,請說明這種方法有什麼優點?
(二)在矽的局部氧化(local oxidation of silicon,LOCOS)過程中,何謂鳥嘴(bird’s beak)效應?它有什麼優點或缺點?
(三)請說明為什麼半導體在進行雜質擴散後,接著需要使用比較高的溫度或較長的時間進行熱處理?
題型:計算題
難易度:尚未記錄
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