104年地方政府公務人員三等考試_半導體工程
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年度
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1.
(一) 對一室溫下低摻雜的n型半導體,假如溫度升高,請說明它的費米能階(Fermi Level)是偏近導帶還是偏離導帶?請說明原因。(10分)
(二) 請寫出pn二極體中的接面定律(Law of the Junction)方程式,並說明其物理意義。(10分)
題型:問答題
難易度:尚未記錄
2.
(一)關於npn雙極性電晶體,若基極(Base)區使用漸進式(Graded)濃度的結構,請說明它可以提供的優點。(10分)
(二)高電子遷移率電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)為常用於高頻通訊的元件之一,因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射(Impurity Scattering)效應而提升二維電子雲(Two-Dimension Electron Gas, 2DEG)的電子遷移率之優點;但在室溫或較高溫度時仍然會受到晶格散射(Lattice Scattering)的影響,能提升電子遷移率的效應有限。然而,我們都是在室溫使用這種元件於通訊裝置,請說明高電子遷移率電晶體在室溫可以提供的優點。(10分)
題型:問答題
難易度:尚未記錄
3.
(一) 為什麼在金氧半場效電晶體(MOSFET)的通道所計算的載子遷移率和一般半導體材料(semiconductor material)量測的載子遷移率是不同的?請說明原因。(10分)
(二) 請說明什麼是鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET),它有什麼優點?(10分)
題型:問答題
難易度:尚未記錄
4.
(一)請分別繪出由擴散與離子佈植所形成的摻雜濃度對深度的分布圖,並說明它們之間的差異。(10分)
(二)以熱氧化法成長的二氧化矽(SiO2)薄膜,起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成線性關係,隨著時間增長,二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這兩者的物理機制,這兩種機制分界處的二氧化矽薄膜厚度約為多少?(10分)
(三)請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因,至少列出三項。(10分)
(四)請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點,至少列出四項。(10分)
題型:問答題
難易度:尚未記錄
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