109年台電雇員 電子學
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1.
假設電晶體的α 參數由 0.99 變化到 0.98,則 β 參數之變化為何?
(A)
由 49 變化到 88
(B)
由 49 變化到 99
(C)
由 88 變化到 49
(D)
由 99 變化到 49
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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2.
有關二極體的順向偏壓接法,下列何者正確?
(A)
P 端接電源的正極,N 端接電源的正極
(B)
P 端接電源的負極,N 端接電源的負極
(C)
P 端接電源的正極,N 端接電源的負極
(D)
P 端接電源的負極,N 端接電源的正極
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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3.
有關共基極( CB ) 放大器之敘述,下列何者正確?
(A)
電流增益小於 1
(B)
電壓增益小於 1
(C)
高輸入電阻
(D)
低輸出電阻
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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4.
小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路,其輸出的直流平均電壓V
DC
= 3.7 V,則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為何?
(A)
4 V
(B)
6 V
(C)
8 V
(D)
12 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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5.
某 P 通道增強型 MOSFET,導電參數 K = 0.5 mA / V
2
,臨界電壓 V
T
= −2 V, 試求 V
GS
= −5V 時, I
D
值為何?
(A)
6 mA
(B)
4.5 mA
(C)
2 mA
(D)
0.5 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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6.
如右圖所示,若 V
i
= 10sin(ωt) V,二極體為理想狀態,試求流過負載的峰值電流為何?
(A)
0.1 mA
(B)
0.4 mA
(C)
2 mA
(D)
5 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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7.
如圖所示,試求集極電流的飽和值為何?
(A)
2.96 mA
(B)
3.96 mA
(C)
4.96 mA
(D)
5.96 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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8.
有關微分器、積分器之敘述,下列何者正確?
(A)
方波通過積分器後之輸出波形為三角波
(B)
三角波通過積分器後之輸出波形為方波
(C)
方波輸入微分器後之輸出波形為三角波
(D)
三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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9.
有關 JFET 特性之敘述,下列何者有誤?
(A)
V
GS
= 0 時, I
D
= I
DSS
(B)
N 通道的夾止(pinch-off)電壓V
P
是負值
(C)
在歐姆區操作時,| V
DS
|>| V
GS
-V
P
|
(D)
閘極電流趨近於零
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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10.
有關逆向偏壓接面電容之敘述,下列何者正確?
(A)
隨逆向偏壓降低而增加
(B)
隨逆向偏壓升高而增加
(C)
由逆向飽和電流決定
(D)
隨順向偏壓降低而增加
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
11.
某電晶體電路測得電流增益為 200,集極電流為 10 mA,試求射極電流為何?
(A)
9.9 mA
(B)
9.95 mA
(C)
10 mA
(D)
10.05 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
12.
有關石英晶體之敘述,下列何者有誤?
(A)
晶體的品質因數 Q 值非常高溫度升高時晶體穩定性變差
(B)
溫度升高時晶體穩定性變差
(C)
晶體產生的共振頻率非常準確
(D)
晶體對時間具有非常高的穩定性
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
13.
若要將小信號電壓及電流都放大,可採用下列何種放大電路?
(A)
雙極性接面電晶體的共集極放大電路
(B)
雙極性接面電晶體的共射極放大電路
(C)
場效電晶體的共閘極放大電路
(D)
場效電晶體的共汲極放大電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
14.
已知一放大電路電壓增益 A
v
為 10,電流增益 A
i
為 10,則其功率增益 A
P
為多 少分貝(dB)?
(A)
10
(B)
20
(C)
30
(D)
1000
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
15.
某 NPN 電晶體的 β = 100 ,集極電流為 0.8 A,基極電流為 12 mA,則電晶體 處於何種區域模式?
(A)
主動模式
(B)
截止模式
(C)
飽和模式
(D)
反相主動模式
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
16.
二極體接逆向偏壓時,其逆向飽和電流 I
s
之敘述,下列何者正確?
(A)
與逆向偏壓成反比
(B)
與逆向偏壓成正比
(C)
與溫度成反比
(D)
與溫度成正比
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
17.
如圖所示,該反相放大器之電壓增益 V
o
/ V
i
為多少分貝(dB)?
(A)
+ 20
(B)
+10
(C)
−10
(D)
− 20
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
18.
如圖所示,若 V
GS
= − 2.5 V, R
S
= 2.5 kΩ,則 V
DS
為何?
(A)
8.5 V
(B)
9.5 V
(C)
10.5 V
(D)
11.5 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
19.
有關 R-C 濾波器之敘述,下列何者有誤?
(A)
對同一負載而言,R 值越大,其輸出端漣波越小
(B)
電容量越大,輸出漣波越小
(C)
使用全波整流時,R-C 濾波器之濾波效果較使用半波整流時為佳
(D)
對同一 R-C 濾波器而言,負載電流越大,輸出電壓越大
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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20.
類比開關的功能是控制類比信號通過或不通過。下列何種半導體元件不適合作為類比開關使用?
(A)
二極體
(B)
N 通道金氧半場效電晶體
(C)
P 通道金氧半場效電晶體
(D)
互補型金氧半場效電晶體
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
21.
下列何種雙極性接面電晶體電路組態,適合於高頻放大器應用?
(A)
共集極電路
(B)
共基極電路
(C)
共射極電路
(D)
具共射極電阻之共射極電路
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
22.
針對大電流負荷之濾波應採用何種濾波器較佳?
(A)
電阻輸入濾波器
(B)
電阻電容濾波器
(C)
電容輸入濾波器
(D)
電感濾波器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
23.
產生擴散電流之原因為何?
(A)
半導體內出現溫差半導體內出現外加電壓
(B)
半導體內出現外加電壓
(C)
半導體內載子濃度不同
(D)
半導體內載子濃度相同
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
24.
如右圖所示,該濾波器為何種形態?
(A)
高通
(B)
低通
(C)
帶通
(D)
帶拒
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
25.
如圖所示,該二極體為理想的二極體,則電路輸出電壓V
o
為何?
(A)
2 V
(B)
5 V
(C)
8 V
(D)
10 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
26.
變容二極體(Varactor)常作為電容使用,係應用下列何者改變其電容量?
(A)
頻率
(B)
溫度
(C)
電壓
(D)
電流
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
27.
稽納二極體(Zener Diode)利用逆壓崩潰區電壓幾乎固定的性質,來達到穩壓效 果,如圖所示,該稽納二極體之崩潰電壓 V
z
= 8V,當 V
i
= 10V 時,V
o
為何?
(A)
10 V
(B)
8 V
(C)
6 V
(D)
4 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
28.
有關 n 型半導體材料之敘述,下列何者正確?
(A)
內部大部分是帶正電荷可以游動的雜質離子(ions)
(B)
內部大部分是帶負電荷可以游動的雜質離子(ions
(C)
內部大部分是帶正電荷可以游動的載子(carriers)
(D)
內部大部分是帶負電荷可以游動的載子(carriers)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
29.
一個 P 型半導體帶有的靜電荷為?
(A)
電中性
(B)
正電荷
(C)
負電荷
(D)
視加入之雜質種類而定
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
30.
某串級放大器輸入電壓為 0.01 sin(t) V,第一級、第二級與第三級電壓增益分別 為 29 dB、6 dB、5 dB,則第三級輸出電壓有效值為何?
(A)
7.07 V
(B)
1.414 V
(C)
1 V
(D)
0.707 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
31.
關於雙極性接面電晶體(BJT)射極基極介面為逆向偏壓,集極基極介面為逆向偏壓時,請問 BJT 處於何種區域模式?
(A)
主動模式
(B)
截止模式
(C)
飽和模式
(D)
反相主動模式
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
32.
BJT 直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致 I
C
值在順向作用區(forward active region)時,會隨著V
CE
值增加而產生何種變化?
(A)
增加
(B)
減少
(C)
不變
(D)
不一定
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
33.
NMOS 較 PMOS 之應用更為廣泛,其原因為何?
(A)
NMOS 製程較為簡單
(B)
電子比電洞具有較大的移動率
(C)
電子比電洞具有較小的移動率
(D)
電子比電洞具有較大的擴散常數
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
34.
一周期性脈波訊號其正峰值為 +10 V,負峰值為 −2 V。若此信號的平均值為 +2.8V,則工作週期(duty cycle)為何?
(A)
80%
(B)
70%
(C)
50%
(D)
40%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
35.
兩個二極體 p 極相連是否可以作為 BJT 放大器使用?
(A)
是,可正常作為放大器使用
(B)
否,須改為 n 極相連
(C)
否,因基極寬度過大,載子容易復合,集極電流無法受控
(D)
否,因基極寬度過大,載子不易復合,集極電流無法受控
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
36.
增強型 NMOS 的 V
DS
= 4V,元件參數 K
n
= 0.5mA / V
2
,臨限電壓 V
t
= 2V, I
D
= 2mA,若忽略通道長度調變效應,V
GS
值為何?
(A)
−2 V
(B)
4 V
(C)
4.5 V
(D)
5 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
37.
一功率放大器之直流輸入功率為 100 W,交流輸出功率為 86 W,其類型為何?
(A)
A 類
(B)
B 類
(C)
C 類
(D)
AB 類
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
38.
如圖所示電路,其中 V
Z
= 6V(忽略稽納二極體電阻),且 15mA≤I
Z
≤90mA 時,稽納二極體(Zener Diode)才有穩壓作用,在下列 Rs 電阻的範圍,何者可使 稽納二極體產生穩壓作用?
(A)
60Ω ≤ R
S
≤ 120Ω
(B)
60Ω ≤ R
S
≤ 150Ω
(C)
50Ω ≤ R
S
≤ 120Ω
(D)
50Ω ≤ R
S
≤ 150Ω
題型:單選題
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看解答
39.
相對於單級放大器,有關串級放大器的增益與頻寬之描述,下列何者正確?
(A)
增益變大,頻寬變寬
(B)
增益變大,頻寬變窄
(C)
增益變小,頻寬變寬
(D)
增益變小,頻寬變窄
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
40.
在絕對零度 (0°K) 時,於本質半導體之兩端加一電壓,若本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內狀態為何?
(A)
有電子流,沒有電洞流
(B)
有電子流也有電洞流
(C)
沒有電子流,有電洞流
(D)
沒有電子流也沒有電洞流
題型:單選題
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看解答
41.
某矽二極體之 PN 接面於 25°C 時,其逆向飽和電流為 5 nA,當此 PN 接面溫度 上升至65°C 時,其逆向飽和電流為何?
(A)
80 nA
(B)
40 nA
(C)
20 nA
(D)
10 nA
題型:單選題
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看解答
42.
NPN 電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有 0.125%在基極與電洞結合, 其餘 99.875%被集極收集,則此電晶體之 β 值為何?
(A)
199
(B)
299
(C)
399
(D)
799
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
43.
如圖所示,假設兩顆理想二極體具有完全一樣之特性,且並未發生崩潰,請 問何者所跨的壓降較大?
(A)
D
1
(B)
D
2
(C)
一樣
(D)
無法確定
題型:單選題
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看解答
44.
假設 V(t)= Vsin(ωt)的均方根值為 v
1
,當 V(t) 通過一個理想全波整流器後,其輸出電壓之均方根值為 v
2
,則 v
1
/ v
2
為何?
(A)
0.5
(B)
0.707
(C)
1
(D)
2
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
45.
下列何者是達靈頓(Darlington)放大電路之特點?
(A)
輸入阻抗低
(B)
輸出阻抗高
(C)
電流增益低
(D)
電壓增益略小於 1
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
46.
電壓
,當t = 0 秒時瞬間電壓為何?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
47.
有關電子伏特(eV)之描述,下列何者正確?
(A)
能量單位
(B)
電流單位
(C)
電阻單位
(D)
電壓單位
題型:單選題
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看解答
48.
如下【圖 1】、【圖 2】所示,小清、小州想利用方波作為輸入訊號並輸出三角 波,試問其正確電路名稱,並計算該三角波在 0 至
週期前之斜率為何?
(A)
(B)
(C)
(D)
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
49.
有關理想放大器之描述,下列何者有誤?
(A)
開路電壓增益趨近無窮大
(B)
輸入阻抗趨近無窮大
(C)
輸出阻抗趨近無窮大
(D)
頻帶寬度趨近無窮大
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
50.
若一電源頻率為 60 Hz,經半波整流後,輸出電壓之漣波頻率為何?
(A)
120 Hz
(B)
60 Hz
(C)
30 Hz
(D)
50 Hz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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