110年台電雇員-電子學
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1.
二極體若加順向偏壓,則會產生下列何種情形?
(A)
障壁電壓降低,空乏區寬度減小
(B)
障壁電壓增加,空乏區寬度減小
(C)
障壁電壓增加,空乏區寬度增加
(D)
障壁電壓降低,空乏區寬度增加
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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2.
在稽納二極體中,有關崩潰電壓的敘述,下列何者正確?
(A)
崩潰電壓發生在順向偏壓區
(B)
崩潰電壓會破壞稽納二極體
(C)
具正溫度係數,溫度愈高崩潰電壓愈高
(D)
崩潰電壓大概為定值
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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3.
有關 PN 接面二極體的敘述,下列何者有誤?
(A)
溫度上升時,障壁電壓上升
(B)
二極體加順向偏壓後,空乏區變窄
(C)
矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高
(D)
溫度上升時,漏電流上升
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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4.
如圖所示之全波整流電路,若欲產生平均值 3.18 V(伏特)之直 流電壓輸出,試求二極體之峰值 反向電壓(PIV)值最接近下列何者?
(A)
5 V
(B)
10 V
(C)
6.36 V
(D)
20 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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5.
發光二極體(LED)之所以能產生不同顏色,最主要受下列何者影響?
(A)
外加電壓
(B)
外加電壓之頻率
(C)
周遭溫度
(D)
材料能帶間隙
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
6.
如圖所示之橋式全波整流電路,次級線圈電壓V
i
峰對峰值 (V
p-p
) 為50V之交流電壓,若二極體為理想元件,則輸出電壓之平均值最接近下列何者?
(A)
15.9 V
(B)
17.7 V
(C)
31.8 V
(D)
35.4 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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7.
下列何者會有負電阻值區域?
(A)
透納二極體
(B)
步級回復二極體
(C)
蕭特基二體體
(D)
光耦合器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
8.
二極體逆向電流係由少數載子電流與下列何者所組成?
(A)
雪崩效應
(B)
表面漏電流
(C)
順向電流
(D)
稽納電流
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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9.
電晶體偏壓時,若將集極與射極對調,使得基極對射極接面為逆向偏壓,而基極對集極接面為順向偏壓,則有關電晶體之敘述,下列何者正確?
(A)
耐壓降低,增益提高
(B)
耐壓提高,增益降低
(C)
耐壓及增益皆降低
(D)
耐壓及增益皆提高
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
10.
電晶體作為開關使用,若開關未導通時,則此電晶體工作於輸出特性曲線的何區域?
(A)
飽和區
(B)
順向偏壓工作區
(C)
反向偏壓工作區
(D)
截止區
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
11.
若 NPN 電晶體應用於工作區,則有關電晶體偏壓情形,下列敘述何者正確?
(A)
B-E 極加順偏,B-C 極加逆偏
(B)
B-E 極加順偏,B-C 極加順偏
(C)
B-E 極加逆偏,B-C 極加逆偏
(D)
B-E 極加逆偏,B-C 極加順偏
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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12.
如圖所示,共射極電路若 V
CC
= 12V, V
CE
= 6V, V
BE
= 0.7V, R
B
= 390kΩ, R
C
= 2kΩ,則電晶體之 β 值最接近下列何者?
(A)
104
(B)
123
(C)
133
(D)
145
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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13.
有關金氧半場效電晶體(MOSFET),下列敘述何者有誤?(V
GS
為閘極至源極之電壓)
(A)
空乏型 MOSFET 本身結構中並無通道存在
(B)
空乏型 N 通道 MOSFET 其V
GS
可接負電壓或正電壓
(C)
增強型 P 通道 MOSFET 其V
GS
若接正電壓,則無法建立通道
(D)
增強型 N 通道 MOSFET 臨界電壓V
T
之值為正
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
14.
有關場效電晶體,下列敘述何者有誤?( I
D
為汲極電流, I
G
為閘極電流)
(A)
場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
(B)
場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型 MOSFET、增強型 MOSFET
(C)
場效電晶體以控制通道之寬度達到控制 I
D
大小之目的
(D)
對場效電晶體的 I
D
影響最大的是 I
G
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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15.
如圖所示,當 V
GS
= −5 V 時, I
DSS
= 25mA 及 V
GS(off)
= −10V,求偏壓時之 R
S
值為何?
(A)
625 Ω
(B)
750 Ω
(C)
800 Ω
(D)
1,000 Ω
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
16.
接面場效應電晶體(JFET)之汲極與源極間,通道的有效寬度會隨著V
GS
逆向偏 壓增加而減小,而當V
GS
逆向偏壓夠大,致使通道寬度降為零,此時的V
GS
值稱為何種電壓?
(A)
夾止電壓
(B)
崩潰電壓
(C)
峰值反向電壓
(D)
截止電壓
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
17.
為使一差動放大器的共模拒斥比(CMRR)變大,下列敘述何者正確?
(A)
減少基極電阻
(B)
減少射極電阻
(C)
加大射極電阻
(D)
加大集極電阻
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
18.
如圖所示之串級電路,已知 β
1
= β
2
= = 50 ,則此放大器的電流增益為何?
(A)
5
(B)
50
(C)
100
(D)
2500
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
19.
頻寬相同的各放大器加以串接,則串接後下列敘述何者正確?
(A)
總電壓增益大於單級增益,總頻寬等於單級頻寬之總和
(B)
總電壓增益大於單級增益,總頻寬等於單級頻寬之乘積
(C)
總電壓增益大於單級增益,總頻寬小於單級頻寬
(D)
總電壓增益等於單級增益之總和,總頻寬等於單級頻寬
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
20.
在各種耦合放大電路中,下列何者之頻率響應最差?
(A)
RC 耦合
(B)
電感耦合
(C)
變壓器耦合
(D)
直接耦合
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
21.
一般功率放大器之最高功率轉換效率,其大小依序為何?
(A)
A類 >= AB類 >= B類
(B)
A類 >= B類 >= AB類
(C)
AB類 >= B類 > A類
(D)
B類 >= AB類 >= A類
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
22.
有一功率放大器的直流電壓為 20 V,操作電流為 500 mA,交流輸出功率為 0.875 W,則此放大器之效率為何?
(A)
15.75%
(B)
12.75%
(C)
8.75%
(D)
5.75%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
23.
某功率電晶體電路輸出級為 AB 類放大器,有關導通角度之敘述,下列何者正 確?
(A)
導通角度為360°
(B)
180° < 導通角度< 360°
(C)
90° < 導通角度< 180°
(D)
導通角度 < 90°
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
24.
如圖所示,下列敘述何者有誤?
(A)
為共集極放大器
(B)
電壓增益值約為 −5
(C)
為射極隨耦器
(D)
其交流等效電路在集極是接地
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
25.
若 NMOS 場效電晶體之汲極與源極電壓V
DS
> 閘極與源極電壓V
GS
> 臨界電壓 V
th
,則下列敘述何者正確?
(A)
NMOS 操作在非飽和區
(B)
NMOS 操作在飽和區
(C)
NMOS 操作在截止區
(D)
NMOS 操作在飽和區及非飽和區交界處
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
26.
如圖所示為一理想運算放大器,若其飽和電壓為 ±10 V, 1 VS = mV,則V
o
為何?
(A)
10 V
(B)
−10 V
(C)
100 mV
(D)
−100 mV
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
27.
有一差動放大器之共模增益為 0.2,差模增益為 500,試求其共模拒斥比(CMRR) 為何?
(A)
0.004
(B)
100
(C)
2500
(D)
5000
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
28.
有一理想差動放大器,若電壓增益值 A
d
= 100 ,兩端輸入電壓 V
1
= 20 mV, V
2
= −10 mV,則輸出電壓V
o
為何?
(A)
3 V
(B)
2 V
(C)
1 V
(D)
−1 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
29.
如圖所示之V
in
為三角波,則V
out
為何?
(A)
三角波
(B)
方波
(C)
正弦波
(D)
脈衝波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
30.
下列何者可作為電路的方波產生器?
(A)
無穩態多諧振盪器
(B)
單穩態多諧振盪器
(C)
雙穩態多諧振盪器
(D)
RC 相移振盪器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
31.
有關多諧振盪器之敘述,下列何者有誤?
(A)
單穩態多諧振盪器的輸出狀態包括一種穩定狀態和一種暫時狀態
(B)
雙穩態多諧振盪器之工作情形有如數位電路的正反器
(C)
無穩態多諧振盪器有一個輸入觸發信號
(D)
多諧振盪器之輸出波形為非正弦波
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
32.
下列何者為正弦波振盪器?
(A)
施密特振盪器
(B)
考畢子振盪器
(C)
單穩態多諧振盪器
(D)
雙穩態多諧振盪器
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
33.
有一脈波頻率為 2 kHz,脈波寬度時間為 0.3 ms,試求其工作週期為何?
(A)
30%
(B)
40%
(C)
50%
(D)
60%
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
34.
如圖所示之理想放大器,試求其工作週期( V
o
> 0之週期占比)?
(A)
1/2
(B)
1/3
(C)
2/3
(D)
1
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
35.
有一串級放大電路之各級電壓增益值分別為 1 倍、10 倍及 100 倍,若不考慮各級負載效應,則其總電壓增益分貝值(dB)為何?
(A)
20 dB
(B)
40 dB
(C)
60 dB
(D)
80 dB
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
36.
分析運算放大器電路時,兩輸入端常被視為虛擬短路,其意義為何?
(A)
兩輸入端需各自接地
(B)
兩輸入端的電壓相等
(C)
需將兩輸入端連在一起
(D)
兩輸入端的輸入阻抗為零
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
37.
如圖所示之放大器電路,試問C
1
和C
2
耦合(coupling)電容會衰減放大器頻率響應的頻段為何?
(A)
沒有影響
(B)
高頻段
(C)
中頻段
(D)
低頻段
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
38.
如圖所示之方形脈波,其頻率為何?
(A)
300 kHz
(B)
250 kHz
(C)
200 kHz
(D)
150 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
39.
如圖所示之放大器,若 R
1
=100 kΩ,R
2
= 10 kΩ, R = 100 kΩ,求由 A 端看入之輸入電阻 R
i
為何?
(A)
1 MΩ
(B)
−1 MΩ
(C)
2 MΩ
(D)
−2 MΩ
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
40.
有一共射極放大器之電壓增益分貝值為 20 dB,其後串接射極隨耦器,求總電壓增益分貝值(dB)為何?
(A)
10 dB
(B)
20 dB
(C)
30 dB
(D)
40 dB
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
41.
理想差動放大器之共模拒斥比(CMRR)為何?
(A)
∞
(B)
0
(C)
1
(D)
介於 0 ~ 1 之間
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
42.
有一運算放大器之轉動率(slew rate)為 0.628 V/μs,若此運算放大器之輸出電壓峰值為 10 V,則此運算放大器在輸出不允許失真的情況下,輸入所能允許之正 弦波最高頻率為多少?( π=3.14)
(A)
10 kHz
(B)
20 kHz
(C)
30 kHz
(D)
40 kHz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
43.
有關 555 計時 IC 的控制電壓腳(第 5 腳),下列敘述何者有誤?
(A)
可改變輸出之電壓大小
(B)
可改變輸出之振盪頻率
(C)
可改變內部上比較器之參考電位
(D)
可改變內部下比較器之參考電位
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
44.
積體電路內之串級放大器電路,大部分採用何種耦合方式?
(A)
電阻耦合
(B)
電容耦合
(C)
直接耦合
(D)
變壓器耦合
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
45.
如圖所示電路,已知 R = Ω 20 ,C = 16 μF,則此濾波器的截止頻率最接近下列何者?
(A)
400 Hz
(B)
500 Hz
(C)
600 Hz
(D)
700 Hz
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
46.
如圖所示之方波振盪器電路,下列敘述何者有誤?
(A)
對實際 OPA 而言,VO 之峰對峰值接近 2V
CC
(B)
對實際 OPA 而言,V
O
之工作週期(duty cycle)約為 50%
(C)
隨 C 之數值增加,則振盪頻率會下降
(D)
R2 之數值增加,則振盪頻率會增加
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
47.
(A)
低通
(B)
高通
(C)
帶通
(D)
帶拒
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
48.
如圖所示為一理想運算放大器,其飽和電壓為 ±15 V,若稽納(Zener)二極體之崩潰電壓為 6 V,則 I 值為何?
(A)
0 A
(B)
3 mA
(C)
6 mA
(D)
9 mA
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
49.
有一濾波器在截止頻率的情況下,其功率增益為中頻功率增益之多少倍?
(A)
0 倍
(B)
0.125 倍
(C)
0.25 倍
(D)
0.5 倍
題型:單選題
難易度:尚未記錄
看解答
50.
如圖所示為一理想運算放大器,若 V
i
= − 3V 時,則 OPA 之V
o
為何?
(A)
15 V
(B)
−15 V
(C)
30 V
(D)
−30 V
題型:單選題
難易度:尚未記錄
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