請繪出典型之導體、半導體、絕緣體之能帶圖(energy band diagram),並簡述
該能帶圖所代表之意義。
在一均勻半導體材料中,其本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為ni、
本質費米能階(intrinsic Fermi energy)為Ei、費米能階(Fermi energy)為EF,當
絕對溫度為T ,而Boltzmann常數為kB時,其自由電子(electron)濃度n為何?
電洞(hole)濃度p為何?若此半導體材料為n型,其摻雜濃度ND為1016/cm3而
ni=1.45×1010/cm3時,求電洞之濃度。
在一半導體材料中,請寫出電子電流流動方程式(current flow equation),並定
義各參數及說明方程式中各項之物理意義。
在一半導體材料中,請寫出電洞之連續方程式(continuity equation),並定義各
參數及說明方程式中各項之物理意義。
一p-n 接面二極體(junction diode)在交換應用(switching application)之順向
(forward)與逆向偏壓(reverse bias)切換時具電容(capacitance)效應,請說明順向
與逆向偏壓時之電容效應及物理意義。
請繪出n通道MOSFET之典型電流(ID )-電壓(VDS ,VGS )特性圖,並說明其原
理。
請列出兩種在矽(Si)基片上成長氧化層的方法,並簡述其成長原理及兩者成長
膜之性質差異。
請列出兩種在半導體基片上摻雜雜質(impurity)的方法,並簡述其原理及兩者
摻雜之性質差異。
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