首頁 > 線上測驗 > 公職考試>高考/三等>電子工程 > 103年公務人員高等考試三級 半導體
Si 的晶體結構為鑽石結構,是由兩個面心立方結構所組成的。面心立方結構的正立方體邊長,即晶格常數,為5.43 Å 。Si 的原子量為28 克。求Si 的鍵長、鍵角、原子濃度與密度。(
何謂近似自由電子模型(nearly free electron model)?說明在此模型下電子能量E 與波向量(wave vector)k 的關係、關係中所謂等效質量(effective mass)的物理意義。同時也說明E-k關係的非拋物線性(non parabolicity)
說明離子佈植(ion implantation)的基本原理。以離子佈植植入雜質的方法與擴散法比較有何優點?離子佈植後為何需要熱處理?說明離子佈植的通道效應(channeling effect),舉出一種消除 的方法。
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