若一個半導體中電子的漂移速度v 與外加電場E 之間的關係可被模擬為:
求該半導體之:
(一) 遷移率(mobility)μ。
(二) 飽和速度(saturation velocity) vsat。
下圖是砷化鎵的能帶結構圖。
(一) 請說明n 型砷化鎵為何會顯現負微分遷移率(negative differentialmobility)。
(二) 請由你的說明歸納出半導體會具有負微分遷移率的幾個必要條件。
(一) 說明如何從一個pn 二極體的順向偏壓I-V 特性來得到逆向飽和電流
(reverse saturation current) Is。
(二) 為何不直接從pn 二極體的逆向偏壓I-V 特性得到逆向飽和電流,有何實
際困難?
在一個pn 接面中包含兩個寄生電容:接面電容(junction capacitance)及擴散電
容(diffusion capacitance)。
(一) 說明這兩個電容的成因為何?
(二) 在順向偏壓下,主控的電容會是那一個?為什麼?
(三) 在逆向偏壓下,主控的電容會是那一個?為什麼?
(一) 繪圖說明雙極性接面電晶體的基極寬度調變(base width modulation)效
應。
(二) 繪出集極電流對基極集極間電壓之關係,並說明基極寬度調變效應對集極
電流的影響。
(一) 使用Czochralski 法(CZ 法)拉晶矽晶棒過程中,限制拉晶速率的主要因素
為何?
(二) 使用CZ 法拉晶時,大部分的雜質都會被排斥而無法進入晶棒之中,只有
那一種雜質會傾向進入矽晶棒?為什麼?
氫氟酸(HF)是二氧化矽的良好蝕刻劑,但卻無法蝕刻矽。說明如何使用包含氫
氟酸的混合溶液來蝕刻矽?
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