首頁 > 線上測驗 > 公職考試>地方特考/三等>電子工程 > 94年特種考試地方政府公務人員三等考試 電磁學
在本質(Intrinsic)矽晶體中,請說明使其變成n 型矽晶體的兩種方法,並說明其製 作過程及形成n 型矽晶體的機制。
砷化鎵之能隙(Energy gap)及電子親和力(Electron affinity)分別為1.42eV 及 4.07eV,以金屬之功函數(work function)而言,為在n 型砷化鎵製作優良的蕭特基 接觸(Schottky contact),請說明需選用何種金屬,並以能帶圖說明其工作機制及 原理。
在雙異接面(Double heterojunction)半導體雷射結構中,請說明雙異質結構較優於 同質接面(Homojunciton)結構之優點,並說明其原因。
就npn 電晶體而言,請說明形成基極(base)電流的兩個電流分量,並說明其物理 機制。
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