首頁 > 線上測驗 > 公職考試>地方特考/三等>電子工程 > 95年特種考試地方政府公務人員三等考試 電磁學
簡答題: (一) 在設計雙載子電晶體(BJT)時,為何集極(collector)之攙雜濃度不似基極(base) 那麼高? (二) 在BJT 中為何基極的寬度都作得很窄? (三) 若增加射極(emitter)之能隙使之較基極為大,則此BJT 之特性與傳統結構相 較孰優孰劣?為什麼?
設金屬之功函數為ΦM ,半導體之功函數為ΦS ,試繪出熱平衡時,下列四種金 屬/半導體接面(M-S Contact)之能帶圖,並指出何者為蕭特基歐姆接觸(Schottky Ohmic Contact)?何者為蕭特基整流接觸(Schottky Rectifying Contact)? (一) 半導體為n 型Si,且ΦM>ΦS (二) 半導體為n 型Si,且ΦM<ΦS (三) 半導體為p 型Si,且ΦM>ΦS (四) 半導體為p 型Si,且ΦM<ΦS
(一) 在各空乏區邊緣(即圖三所標示之A,B,C,D 等位置)之多出少數載子濃 度(excess minority-carrier concentration)為何? (二) 集極電流(IC)為何? (三) 計算Early voltage(VA)為何?
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