首頁 > 線上測驗 > 公職考試>電信工程 > 103年公務人員高等考試三級 電磁學
(一)試寫出靜電場所需滿足之微分方程式。 (二)試寫出靜磁場所需滿足之微分方程式。 (三)請依據(一)、(二)結果，推導出靜電場及靜磁場之邊界條件。
某一半徑為a 之電中性金屬球置於座標原點，如圖一。今在x = 2d 及x = -d 處分別放置帶電量為Q 及-2Q 之電荷。試求金屬球面之電位
如圖二所示為兩同軸且半徑分為a 及b 之空心金屬管，a < b。設金屬管為無限長且管壁厚度可不計，內管之軸向電流為I，外管軸向電流為-I。 (一)求空間中每一位置之磁場強度H(r)，0＜r＜∞。 (二)求此同軸金屬管單位長度之電感值。
(一)求介質中之複傳播常數γ（Complex propagation constant）及複固有阻抗ηC (二)求反射波電場Er 及磁場Hr。
特性阻抗及長度分別為（50 Ω，300 m）及（150 Ω，600 m）之兩傳輸線串接如圖四，兩傳輸線內之介質皆為空氣。現有一電壓10 V、內阻50 Ω 之電源在t = 0 時接上此傳輸線結構。
(一) 試畫出此電路之電壓反射圖（Voltage reflection diagram）。 (二) 畫出 t ≤12 μs 內，負載電壓VL 對時間之關係圖。 (三) 求t = ∞時之負載電壓VL。
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