如附圖,兩個帶電量為Q1及Q2之點電荷,分別位於M 及N點, M 及N 點在直角座標系中之座標分別為(0, 0, d/2)及(0, 0, −d/2)。此一靜電系統在真空環境中(介電常數設為ε0 )之電通量密度分布為D(R, 0,φ ),電場強度分布為E(R,θ ,φ )。
如附圖,兩個帶電量為Q1及Q2之點電荷,分別位於M 及N點, M 及N 點在直角座標系中之座標分別為(0, 0, d/2)及(0, 0, −d/2)。此一靜電系統在真空環境中(介電常數設為ε0 )之電通量密度分布為D(R, 0,φ ),電場強度分布為E(R,θ ,φ )。
若Q1 = +Q, Q2 = −Q,並假設R ≥ d ,試將空間中之靜電場分布,以球座標之方式表示出來。
如附圖,兩個帶電量為Q1及Q2之點電荷,分別位於M 及N點, M 及N 點在直角座標系中之座標分別為(0, 0, d/2)及(0, 0, −d/2)。此一靜電系統在真空環境中(介電常數設為ε0 )之電通量密度分布為D(R, 0,φ ),電場強度分布為E(R,θ ,φ )。
承上子題,請問∇× = ?又請依影像原理設計一靜電系統,使此新的靜電系統在z > 0之分布與完全相同
考慮附圖所示包含有空氣間隙長為g (單位為m)之磁路系統,假設電流為I (單位為A),線圈之圈數為N 圈,主要磁路及空氣之介磁係數分別為μ 及μ0,主要磁路之長度為h(單位為m),又磁路之截面積為S(單位為m2):
試求此磁路中之磁通量密度
考慮附圖所示包含有空氣間隙長為g (單位為m)之磁路系統,假設電流為I (單位為A),線圈之圈數為N 圈,主要磁路及空氣之介磁係數分別為μ 及μ0,主要磁路之長度為h(單位為m),又磁路之截面積為S(單位為m2):
試評論此題中,若主要磁路之磁滯曲線已知時,應如何更正確求出磁路中之磁通量密度
考慮附圖所示包含有空氣間隙長為g (單位為m)之磁路系統,假設電流為I (單位為A),線圈之圈數為N 圈,主要磁路及空氣之介磁係數分別為μ 及μ0,主要磁路之長度為h(單位為m),又磁路之截面積為S(單位為m2):
就磁通量密度而言,人體安全標準值為多少毫高斯?
考慮附圖所示包含有空氣間隙長為g (單位為m)之磁路系統,假設電流為I (單位為A),線圈之圈數為N 圈,主要磁路及空氣之介磁係數分別為μ 及μ0,主要磁路之長度為h(單位為m),又磁路之截面積為S(單位為m2):
在微波頻段利用時變磁場產生渦流來加熱,請問主要應用何定律?
一均勻平面波正向入射於兩介質介面。在第一介質中,該入射平面波電場強度(峰對峰值)之相量表示式為,k 為相位常數
設第一介質之介電常數為ε0 ,第二介質之介電常數為9ε0,兩區之介磁常數均為μ0。請將穿透至第二介質區平面波之電場強度用(峰對峰值)相量表示法表示出來
一均勻平面波正向入射於兩介質介面。在第一介質中,該入射平面波電場強度(峰對峰值)之相量表示式為,k 為相位常數
承上子題,請將穿透至第二介質區平面波之磁場強度用(峰對峰值)瞬時表示法表示出來。
一均勻平面波正向入射於兩介質介面。在第一介質中,該入射平面波電場強度(峰對峰值)之相量表示式為,k 為相位常數
承第一子題,求穿透至第二區對時間平均之功率密度(含大小與方向)
一均勻平面波正向入射於兩介質介面。在第一介質中,該入射平面波電場強度(峰對峰值)之相量表示式為,k 為相位常數
承第一子題,求出在第一區形成駐波之駐波比
一均勻平面波正向入射於兩介質介面。在第一介質中,該入射平面波電場強度(峰對峰值)之相量表示式為,k 為相位常數
若傳輸線有損耗,其衰減常數為0.01 NP/m,請問此值相當於每公尺衰減多少dB?
以一增益值為1.76 dBi 之天線接收空間(介電及介磁係數分別為ε0及μ0 )中均勻分布電場強度為2(v/m)之10 GHz 電磁波訊號,天線之輸入阻抗為50Ω ,此天線連接至一阻抗為50Ω 之負載,請問負載接收功率為何?
有一銅線長度為L,半徑為r,其電導率為σ 假設與頻率無關:
計算銅線在1 GHz 及4 GHz 時表面電阻之比值
有一銅線長度為L,半徑為r,其電導率為σ 假設與頻率無關:
計算銅線在1 GHz 及4 GHz 時肌膚深度之比值
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