首頁 > 線上測驗 > 公職考試>高考/三等>電子工程 > 94年公務人員高等考試三級 半導體
有一矽試片摻雜濃度1.5×1015 cm−3之硼離子,與濃度8×1014 cm−3之砷離子: (一) 請問此試片是n 型或p 型? (二) 請計算電子與電洞濃度。 (三) 計算全部之離子濃度。 (矽之本質濃度為1.5×1010 cm−3)
金屬與半導體之接面有那兩類?若金屬之功函數( φm ) < N 型半導體之功函數 (φs) ,請繪出金屬與N 型半導體接面之能帶,並說明此類接面屬於那一類接面。
晶圓元件製作過程中,涉及晶圓預烤(Prebake)、光阻軟烤(Soft bake)、光阻硬烤 (Hard bake)等步驟,請說明此步驟之目的。
一片6"晶圓被帶雙電子之離子以1013 ions/cm2 植入1 分鐘,請問需多少beam current?
請說明太陽能電池之工作原理,並繪出電流-電壓關係圖,與標示出最大之功率 點。
欲將N 型半導體電性改為P 型半導體,有那幾種做法?
量測半導體電阻率時可用四點探針法,請說明其裝置與用此方法之優點。
可觀看題目詳解,並提供模擬測驗!(免費會員無法觀看研究所試題解答)