首頁 > 線上測驗 > 公職考試>高考/三等>電子工程 > 96年公務人員高等考試三級 半導體
DRAM記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為1μm2, 且電容具4mm 之SiO2 介電層,又工作電壓為2V,請問有多少電子儲存在記憶 體單元。(SiO2 介電常數:3.9)
請說明兩種矽晶棒(Ingot)之製作方式,並比較其優缺點。
Si於電漿中被蝕刻是根據以下之反應:Si(s) + 2Cl2(g)→SiCl4(g)。若通入氯氣流 量為100sccm,請問理論之200mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少? (Si atom weight: 28.09,Density: 2.329 g/cm3)
請說明常用之物理性鍍膜有那三類?試比較其優缺點。
從下表之<100>Si 於TMAH 之蝕刻速率,求其蝕刻之活化能(activation energy)。
以PN 二極體為例,說明其空間電荷形成之原因,並說明於何處其電場強度最大。
試比較傳統反應性離子蝕刻技術(RIE)與高密度電漿蝕刻(ICP)之不同。
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