說明重摻雜半導體為什麼會出現能隙窄化(bandgapnarrowing)的現象?
能隙窄化對雙極接面電晶體之射極注入效率(emitterinjection efficiency)因數γ 有何影響?
對一半導體進行霍爾效應量測(Hall effect measurement),磁場B 是由外垂直指向頁面,外加電場E 方向指向右邊,量測所得到的霍爾電場EH 是由上往下,如下圖所示,且此半導體的長度、寬度、高度分別為?、d 、h,量測所得到的電流密度為J ,則:
多數載子會在上圖半導體那一邊堆積?此半導體為n 型抑或是p 型
對一半導體進行霍爾效應量測(Hall effect measurement),磁場B 是由外垂直指向頁面,外加電場E 方向指向右邊,量測所得到的霍爾電場EH 是由上往下,如下圖所示,且此半導體的長度、寬度、高度分別為?、d 、h,量測所得到的電流密度為J ,則:
求多數載子的遷移率(majority carrier mobility)
對一半導體進行霍爾效應量測(Hall effect measurement),磁場B 是由外垂直指向頁面,外加電場E 方向指向右邊,量測所得到的霍爾電場EH 是由上往下,如下圖所示,且此半導體的長度、寬度、高度分別為?、d 、h,量測所得到的電流密度為J ,則:
求多數載子的濃度(majority carrier concentration) 。
蕭特基二極體(Schottky diode)與pn 接面二極體擁有類似的電流-電壓特性,但是,這兩者的電流大小、主控機制、元件切換特性卻有顯著的差異。
說明這兩種二極體的電流傳導的主控機制有何不同?
蕭特基二極體(Schottky diode)與pn 接面二極體擁有類似的電流-電壓特性,但是,這兩者的電流大小、主控機制、元件切換特性卻有顯著的差異。
說明這兩種二極體的順向偏壓電流及開啟電壓(turn-on voltage)有何不同?
蕭特基二極體(Schottky diode)與pn 接面二極體擁有類似的電流-電壓特性,但是,這兩者的電流大小、主控機制、元件切換特性卻有顯著的差異。
說明這兩種二極體的切換特性有何不同?
下圖是一個n 型半導體的電子濃度與溫度倒數之間的關係圖。圖中可以分為三段區域:
區域(1)之中電子的主要來源是什麼?
下圖是一個n 型半導體的電子濃度與溫度倒數之間的關係圖。圖中可以分為三段區域:
區域(3)之中電子的主要來源是什麼?
由區域(1)之中的斜率可決定此半導體的什麼參數?
下圖是一個n 型半導體的電子濃度與溫度倒數之間的關係圖。圖中可以分為三段區域:
由區域(3)之中的斜率可決定此半導體的什麼參數?
下圖是一個n 型半導體的電子濃度與溫度倒數之間的關係圖。圖中可以分為三段區域:
圖中半導體中的施體摻雜濃度是多少?
在熱氧化製程中,分析發現氧化物厚度xox 與氧化時間t 之間的關係為下列的二次方程式:
在剛開始氧化的初期,求氧化物厚度xox = ? (表示為t 之函數)
在熱氧化製程中,分析發現氧化物厚度xox 與氧化時間t 之間的關係為下列的二次方程式:
當氧化反應持續很久之後,求氧化物厚度xox = ?(表示為t 之函數)
下列實驗數據是在920°C 下進行溼氧化所得到的原始成長速率關係:
由上述實驗數據求該氧化製程的係數:
(三) A = ?
(四) B = ?
一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻地蝕刻,造成圓角的截面特徵。非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比較喜歡在一個方向上蝕劑,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。
那一個結晶平面是KOH 蝕刻速率特別低的平面?(
一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻地蝕刻,造成圓角的截面特徵。非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比較喜歡在一個方向上蝕劑,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。
造成此結晶平面蝕刻選擇性的起源為何?
一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻地蝕刻,造成圓角的截面特徵。非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比較喜歡在一個方向上蝕劑,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。
什麼材料可以作為KOH 蝕刻的罩幕材料?
一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻地蝕刻,造成圓角的截面特徵。非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比較喜歡在一個方向上蝕劑,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。
什麼材料可以作為KOH 蝕刻停止(stop)?
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