首頁 > 線上測驗 > 公職考試>高考/三等>電子工程 > 98年公務人員高等考試三級 半導體
請在如下圖的直角座標系中,畫出(233)平面。
請說明何謂直接能隙(direct bandgap)?何謂間接能隙(indirect bandgap)?砷化鎵 是那一種能隙的材料?
以強光照射一n 型半導體晶片表面,請繪出從表面到晶片深處的能帶圖,包括導 帶、價帶、電子和電洞的準費米能階(quasi-Fermi level)。
有一均勻摻雜的p型半導體薄片,長度(L)是1cm,寬度(W)是0.1cm,厚度(t)是 10 μm,電流從左側平行流過。如果電洞濃度是1×1015 cm−3,電洞遷移率是 500cm2 /V,請估算此薄片的電阻係數、片電阻、總電阻。
請說明如何從順向偏壓的電流-電壓特性,計算金屬-半導體接面的蕭基位障 (Schottky barrier)高度。
請畫出Metaili/SiO2/p-type Si 在accumulation, depletion, inversion 三種狀態的能帶 圖。
一層厚度100nm 的矽薄膜,如果要用氧化的方式,將Si 厚度減薄到50nm,請問 需要成長多厚的氧化層?
繪圖說明何謂等向性蝕刻(isotropic etching)、非等向性蝕刻(anisotropic etching)? 以HF 和HNO3 混合溶液蝕刻Si 是屬於那一種?
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